[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基板，其包括单元区域、位于所述单元区域的一侧的第二垫区域、以及设置在所述单元区域与所述第二垫区域之间的第一垫区域，所述第一垫区域是与所述单元区域和所述第二垫区域连续的；

第一埋入式栅极，其埋入到沟槽中，并且从所述单元区域延伸到所述第二垫区域；

第二埋入式栅极，其在所述沟槽中设置在所述第一埋入式栅极上方，与所述第一埋入式栅极的上部间隔开，并且从所述单元区域延伸至所述第一垫区域；

第一金属触点，其连接至所述第一埋入式栅极的端部；以及

第二金属触点，其连接至所述第二埋入式栅极的端部，

其中，在所述第一垫区域和所述第二垫区域中，多个所述第一金属触点和多个所述第二金属触点以之字形的方式进行布置。

2.一种半导体器件，包括：

半导体基板，其包括单元区域、位于所述单元区域的一侧的第二垫区域、以及设置在所述单元区域与所述第二垫区域之间的第一垫区域，所述第一垫区域是与所述单元区域和所述第二垫区域连续的；

第一埋入式栅极，其埋入到沟槽中，并且从所述单元区域延伸到所述第二垫区域；

第二埋入式栅极，其在所述沟槽中设置在所述第一埋入式栅极上方，与所述第一埋入式栅极的上部间隔开，并且从所述单元区域延伸至所述第一垫区域；

第一金属触点，其连接至所述第一埋入式栅极的端部；

第二金属触点，其连接至所述第二埋入式栅极的端部，

多个所述第一埋入式栅极，其平行地布置，每个所述第一埋入式栅极具有第一端和第二端；以及

多个所述第一金属触点，多个所述第一金属触点中的每一个第一金属触点连接至多个所述第一埋入式栅极中的对应第一埋入式栅极；其中，

多个所述第一金属触点交替地连接至相邻的第一埋入式栅极的第一端和第二端。

3.一种半导体器件，包括：

半导体基板，其包括单元区域、位于所述单元区域的一侧的第二垫区域、以及设置在所述单元区域与所述第二垫区域之间的第一垫区域，所述第一垫区域是与所述单元区域和所述第二垫区域连续的；

第一埋入式栅极，其埋入到沟槽中，并且从所述单元区域延伸到所述第二垫区域；

第二埋入式栅极，其在所述沟槽中设置在所述第一埋入式栅极上方，与所述第一埋入式栅极的上部间隔开，并且从所述单元区域延伸至所述第一垫区域；

第一金属触点，其连接至所述第一埋入式栅极的端部；

第二金属触点，其连接至所述第二埋入式栅极的端部，

多个所述第二埋入式栅极，其平行地布置，每个所述第二埋入式栅极具有第一端和第二端；以及

多个所述第二金属触点，多个所述第二金属触点中的每一个第二金属触点连接至多个所述第二埋入式栅极中的对应第二埋入式栅极；其中，

多个所述第二金属触点交替地连接至相邻的第二埋入式栅极的第一端和第二端。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

在所述单元区域的第一侧，所述第一金属触点连接至所述第一埋入式栅极，并且在所述单元区域的第二侧，所述第二金属触点连接至所述第二埋入式栅极。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一埋入式栅极比所述第二埋入式栅极长。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第二埋入式栅极形成在所述第一埋入式栅极上方且使所述第一埋入式栅极的两端露出。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第二埋入式栅极与所述单元区域的半导体基板中所包括的离子注入区域重叠。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

隔离绝缘膜，其设置于所述第一埋入式栅极与所述第二埋入式栅极之间。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，

所述隔离绝缘膜包括氮化物膜。