[发明专利]擦除具有错误校正码的非易失性存储器系统无效
| 申请号： | 201310146515.8 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103377707A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 穆甫臣;F·K·小巴克尔;何晨 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C29/44 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及擦除具有错误校正码的非易失性存储器系统。一种擦除非易失性半导体存储器器件的方法包括确定在擦除操作期间未通过（54）擦除验证的位单元数量。所述位单元包括在位单元阵列中的位单元的子集（12）中。所述方法还包括确定对于位单元的子集是否已经预先执行了错误校正码（ECC）校正（74）。如果在预定数量的擦除脉冲之后未通过擦除验证的位单元数量低于阈值数量并且对于位单元的子集未执行ECC校正，所述擦除操作则被认为是成功的（76）。 | ||
| 搜索关键词： | 擦除 具有 错误 校正 非易失性存储器 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器存储器件，包括：非易失性存储器(NVM)位单元的阵列，其中所述NVM位单元的阵列被划分成一个或多个块；存储器控制器，耦合于所述NVM位单元的阵列；以及错误校正码(ECC)单元，耦合于所述阵列和所述存储器控制器，其中所述存储器控制器被配置为：在对一个或多个块中的一个的擦除操作期间，当第一验证操作仅仅检测到所述NVM位单元中的一个在正常擦除验证电压电平未通过擦除验证的时候，并且当第二验证操作检测到所述NVM位单元中的一个在放宽的擦除验证电压电平未通过擦除验证的时候，认为所述擦除操作将成功，其中所述放宽的擦除验证电压电平高于所述正常擦除验证电压电平。
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