[发明专利]擦除具有错误校正码的非易失性存储器系统

权利要求书

1.一种半导体存储器存储器件，包括：

非易失性存储器(NVM)位单元的阵列，其中所述NVM位单元的阵列被划分成一个或多个块；

存储器控制器，耦合于所述NVM位单元的阵列；以及

错误校正码(ECC)单元，耦合于所述阵列和所述存储器控制器，其中所述存储器控制器被配置为：

在对一个或多个块中的一个的擦除操作期间，当第一验证操作仅仅检测到所述NVM位单元中的一个在正常擦除验证电压电平未通过擦除验证的时候，并且当第二验证操作检测到所述NVM位单元中的一个在放宽的擦除验证电压电平未通过擦除验证的时候，认为所述擦除操作将成功，其中所述放宽的擦除验证电压电平高于所述正常擦除验证电压电平。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器存储器件，其中如果对于被擦除的块所述ECC单元不预先执行校正，所述擦除操作则被认为将成功。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器存储器件，其中在所述擦除操作期间，所述第一验证操作和所述第二验证操作在每一个擦除脉冲或每一组擦除脉冲之后执行。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器存储器件，其中如果对于包括在所述放宽的擦除验证电压电平未通过擦除验证的一个NVM位单元的ECC段，所述ECC单元不预先执行校正，所述擦除操作则被认为将成功。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器存储器件，其中所述存储器控制器被配置为：在所述块中的一个的擦除操作期间，当所述第一验证操作仅仅检测到一个NVM位单元在所述正常擦除验证电压电平上未通过擦除验证并且所述第二验证操作检测到所有的NVM位单元在所述放宽的擦除验证电压电平成功地被擦除的时候，如果达到擦除脉冲的最大数量，则认为所述擦除操作将成功。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器存储器件，其中如果所述ECC单元对于包括在所述正常擦除验证电压电平未通过擦除验证的所述一个NVM位单元的ECC段不预先执行校正，所述擦除操作则被所述存储器控制器认为将成功。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器存储器件，其中如果所述ECC单元对于包括在所述正常擦除验证电压电平未通过擦除验证的所述一个NVM位单元的块中的一个不预先执行校正，所述擦除操作则被认为将成功。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器存储器件，其中预定数量的擦除脉冲在计数多个未通过所述第一验证操作的NVM位单元之前通过所述存储器控制器执行。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器存储器件，其中所述预定数量的擦除脉冲在5到10个擦除脉冲之间。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器存储器件，还包括包含一个或多个存储在非易失性存储器中的ECC指示部的ECC记录部，其中所述ECC指示部中的每一个被分配给NVM位单元的块中的相应的块，并且表示是否已经对所述相应的块执行ECC校正。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器存储器件，还包括包含一个或多个存储在非易失性存储器中的ECC指示部的ECC记录部，其中所述ECC指示部中的每一个被分配给NVM位单元的相应的ECC段，并且表示是否已经对所述相应的ECC段执行ECC校正。

12.一种擦除半导体存储器器件的方法，包括：

对非易失性位单元的阵列的子集执行擦除操作，并且

如果在所述擦除操作期间，第一擦除验证操作仅仅检测到一个非易失性位单元在正常擦除验证电压电平未通过擦除验证并且第二验证操作检测到所有的非易失性位单元在放宽的擦除验证电压电平成功地擦除，如果达到擦除脉冲的最大数量，则指定所述擦除操作是成功的，其中所述放宽的擦除验证电压电平高于所述正常擦除验证电压电平。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

在所述擦除操作期间，当所述第一擦除验证操作仅仅检测到一个非易失性位单元在所述正常擦除验证电压电平未通过擦除验证的时候，

当所述第二验证操作检测到一个非易失性位单元在所述放宽的擦除验证电压电平未通过擦除验证时，

指定所述擦除操作是成功的。

14.根据权利要求12所述的方法，还包括如果对于被擦除的非易失性位单元的子集不预先执行错误校正码(ECC)校正，则指定所述擦除操作是成功的。