[发明专利]部分耗尽SOI MOSFET的测试结构及其形成方法

摘要

一种部分耗尽SOI MOSFET的测试结构及其形成方法，该测试结构包括：测试用MOSFET、多个测试接触区，及第一隔离结构。测试用MOSFET包括：具有顶层硅的SOI半导体衬底；位于顶层硅上方的T型栅，包括“一”型部及“|”型部；位于顶层硅内的源区、漏区及体接触区。多个测试接触区沿“|”型部的延伸方向间隔排列，并位于源区的远离“|”型部的一侧的顶层硅内。第一隔离结构的深度不小于所述顶层硅的厚度，并位于相邻两个测试接触区之间。利用该测试结构可以间接测量出待检测的MOSFET在不同体区位置的局部体区电势，有助于MOSFET找到避免浮体效应的关键沟道尺寸，以此来进一步优化MOSFET的结构。

主权项

一种部分耗尽SOI MOSFET的测试结构，其特征在于，包括：测试用MOSFET、多个测试接触区，及第一隔离结构；所述测试用MOSFET包括：具有顶层硅的SOI半导体衬底；位于所述顶层硅上方的T型栅，包括“一”型部及“|”型部；位于所述顶层硅内的源区、漏区及体接触区；所述多个测试接触区沿所述“|”型部的延伸方向间隔排列，并位于所述源区的远离所述“|”型部的一侧的顶层硅内；所述第一隔离结构的深度不小于所述顶层硅的厚度，并位于相邻两个所述测试接触区之间。