[发明专利]具有塑料基底的有源矩阵显示器和其他电子器件无效
| 申请号： | 201310143784.9 | 申请日： | 2007-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103219285A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | E·I·哈斯卡尔;D·J·麦克库洛克;D·J·布罗尔 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐厚才;汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及具有塑料基底的有源矩阵显示器和其他电子器件。制造薄膜电子器件的方法，包括使用湿法流延方法将塑料涂层施加到刚性载体基底上，该塑料涂层形成塑料基底并且包括透明塑料材料和UV吸收添加剂。在所述塑料基底上形成薄膜电子元件，并且从所述塑料基底释放刚性载体基底。通过用UV吸收剂掺杂基底的塑料材料，本发明提供了适用于激光释放方法的制造透明基底材料的方法。这种UV吸收剂在剥离激光的波长(例如308-351nm，或355nm)内以非常高的吸收进行吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 塑料 基底 有源 矩阵 显示器 其他 电子器件 | ||
【主权项】：
制造薄膜电子器件的方法，该方法包括：‑使用湿法流延方法，将塑料涂层(20)施加到刚性载体基底(22)，所述塑料涂层形成塑料基底并且包括透明塑料材料和UV吸收添加剂；‑在所述塑料基底上形成薄膜电子元件；和‑将所述刚性载体基底从所述塑料基底释放。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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