[发明专利]具有塑料基底的有源矩阵显示器和其他电子器件

权利要求书

1.制造薄膜电子器件的方法，该方法包括：

-使用湿法流延方法，将塑料涂层(20)施加到刚性载体基底(22)，所述塑料涂层形成塑料基底并且包括透明塑料材料和UV吸收添加剂；

-在所述塑料基底上形成薄膜电子元件；和

-将所述刚性载体基底从所述塑料基底释放。

2.权利要求1的方法，其中所述UV吸收添加剂包括：

-2-(2H-苯并三唑-2-基)-4，6-双(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚。

3.权利要求1的方法，其中所述UV吸收添加剂包括茋。

4.权利要求1的方法，其中所述UV吸收添加剂包括被供电子和吸电子基团取代的茋。

5.权利要求1的方法，其中所述UV吸收添加剂包括：

-p-二甲基氨基苯甲酸乙酯。

6.权利要求1的方法，其中所述UV吸收添加剂包括：

-2，5-二苯基唑。

7.前述权利要求中任一项的方法，其中所述塑料材料是非双折射的。

8.前述权利要求中任一项的方法，其中所述塑料材料包括聚碳酸酯。

9.权利要求1-7中任一项的方法，其中所述塑料材料包括硅酮。

10.前述权利要求中任一项的方法，进一步包括在形成薄膜电子元件前，热固化所述塑料涂层。

11.权利要求1-9中任一项的方法，进一步包括在形成薄膜电子元件前，UV固化所述塑料涂层，由此将所述UV吸收添加剂吸引到所述刚性载体和塑料涂层之间的边界。

12.前述权利要求中任一项的方法，其中所述薄膜电子元件包括薄膜晶体管。

13.前述权利要求中任一项的方法，其中所述刚性载体基底包括玻璃基底。

14.前述权利要求中任一项的方法，其中所述释放是通过激光方法进行的。

15.前述权利要求中任一项的方法，其中所述UV吸收添加剂在谱带300nm-360nm内具有吸收系数大于10⁴cm^-1的吸收峰。

16.前述权利要求中任一项的方法，制造有源矩阵显示器器件，其中：

-在塑料基底上形成薄膜电子元件包括在塑料基底(22)之上形成像素电路(30，32，34，36)的阵列，

-和其中该方法进一步包括在从塑料基底(22)释放刚性载体基底(12)前，在所述像素电路的阵列之上形成显示器层。

17.权利要求16的方法，进一步包括制造第二基底装置(50，52，54)，和其中在像素电路的阵列之上形成显示器层包括安装第一和第二基底装置且其中电光材料(100)夹在它们之间，由此有源矩阵显示器器件包括第一(22)和第二(54)基底且其中所述电光材料夹在它们之间。

18.前述权利要求中任一项的方法，其中所述湿法流延方法包括旋涂方法。

19.薄膜电子器件，其包括塑料涂层基底和在塑料基底之上的薄膜电子元件，其中所述塑料涂层基底包括透明塑料材料和UV吸收添加剂。

20.权利要求19的器件，其中所述UV吸收添加剂包括：

-2-(2H-苯并三唑-2-基)-4，6-双(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚。

21.权利要求19的器件，其中所述UV吸收添加剂包括茋。

22.权利要求19的器件，其中所述UV吸收添加剂包括被供电子和吸电子基团取代的茋。

23.权利要求19的器件，其中所述UV吸收添加剂包括：

-p-二甲基氨基苯甲酸乙酯。

24.权利要求19的器件，其中所述UV吸收添加剂包括：

-2，5-二苯基唑。

25.权利要求19-24中任一项的器件，其中所述塑料材料是非双折射的。

26.权利要求19-25中任一项的器件，其中所述塑料材料包括聚碳酸酯。

27.权利要求19-25中任一项的器件，其中所述塑料材料包括硅酮。

28.权利要求19-27中任一项的器件，其中所述UV吸收添加剂在谱带300nm-360nm内具有吸收系数大于10⁴cm^-1的吸收峰。