[发明专利]存储器结构及其制造方法与半导体元件有效
| 申请号： | 201310140310.9 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104112713B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 朴哲秀 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 赵根喜,吕俊清 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器结构及其制造方法与半导体元件，该存储器结构至少包括多个存储器元件以及多条位线。位线分别连接各个存储器元件，且这些位线是由互相平行的双层位线所构成。因此，能达成通过增加位线线宽来降低其电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 制造 方法 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种存储器结构的制造方法，其特征在于所述制造方法包括：形成多个存储器元件；形成排列成数排的多个第一层位线接触窗，其中每个第一层位线接触窗分别连接每个存储器元件，且相邻排的该多个第一层位线接触窗交错配置；在每隔一排的该第一层位线接触窗上形成第一位线，其中该第一位线与排列成同一排的该第一层位线接触窗接触；在未与该第一位线接触的该多个第一层位线接触窗的上方形成多个第二层位线接触窗；以及在该多个第二层位线接触窗上形成多条第二位线，其中每条第二位线与排列成同一排的该第二层位线接触窗接触，且该第一位线与该多条第二位线是互相平行的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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