[发明专利]一种碳纳米复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201310126385.1 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103193216A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 胡保东;周梦杰;李晨;赵华波;魏子钧;郭剑;张亮;任黎明;傅云义;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B31/00 | 分类号： | C01B31/00;C01B31/02;C01B31/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳纳米复合材料的制备方法，属于纳米材料的研制领域。该方法利用CVD方法制备单层或多层石墨烯；然后将石墨烯转移到目标衬底上；在石墨烯与目标衬底的结构上面涂覆光刻胶，用电感耦合等离子体方法轰击，使光刻胶变性，然后泡掉残余的光刻胶；将经过轰击的光刻胶、石墨烯和目标衬底一并进行高温处理，使光刻胶碳化，形成碳纳米复合材料。本发明所得到的密集分布的有较高的导电性能的大比面积的碳纳米材料的厚度大概为50～200nm，各个碳纳米线条的直径大概为十几纳米，长度为数十纳米。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米复合材料的制备方法，具体包括如下步骤：1)利用CVD方法制备单层或多层石墨烯；2)将石墨烯转移到目标衬底上；3)在石墨烯与目标衬底的结构上面涂覆光刻胶，用电感耦合等离子体方法轰击，使光刻胶变性，然后泡掉残余的光刻胶；4)将上述经过轰击的光刻胶、石墨烯和目标衬底一并进行高温处理，使光刻胶碳化，形成碳纳米复合材料。
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