[发明专利]晶体生长炉有效
| 申请号： | 201310124381.X | 申请日： | 2013-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103184514A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 王劼;张立国;范亚明;张洪泽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体生长炉，包括反应室和加热装置，所述的反应室包括第一热壁和第二热壁，所述的第一热壁和第二热壁可拆卸连接，且所述的第一热壁和第二热壁围成晶体的反应空间，所述的第二热壁的材质为石墨，所述的加热装置配合第二热壁设置以对其进行加热；所述第一热壁的材质为高温耐热材料。该装置中的反应室的保温、隔热不采用石墨毡，消除了采用石墨毡来保温和隔热所造成的反应室杂质污染的问题，极大的降低了外延片的背景载流子浓度；并且，采用可拆卸式热壁，易于安装，更换方便。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 | ||
【主权项】：
一种晶体生长炉，包括反应室和加热装置，其特征在于：所述的反应室包括第一热壁和第二热壁，所述的第一热壁和第二热壁可拆卸连接，且所述的第一热壁和第二热壁围成晶体的反应空间，所述的第二热壁的材质为石墨，所述的加热装置配合第二热壁设置以对其进行加热。
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