[发明专利]晶体生长炉

权利要求书

1.一种晶体生长炉，包括反应室和加热装置，其特征在于：所述的反应室包括第一热壁和第二热壁，所述的第一热壁和第二热壁可拆卸连接，且所述的第一热壁和第二热壁围成晶体的反应空间，所述的第二热壁的材质为石墨，所述的加热装置配合第二热壁设置以对其进行加热。

2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第一热壁的材质为高温耐热材料，所述高温耐热材料包括石英、刚玉和石墨。

3.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于：所述第一热壁的底端设有卡扣/卡口，所述的第二热壁的顶端配合设有卡口/卡扣。

4.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于：还包括进气装置，所述的进气装置位于所述的反应空间内，包括进气通道和喷头，所述喷头的材质为石墨或刚玉，所述的加热装置的位置与喷头的位置对应以实现对喷头的加热。

5.跟据权利要求4所述的晶体生长炉，其特征在于：所述喷头为喷淋头结构。

6.根据权利要求4所述的晶体生长炉，其特征在于：所述进气通道和喷头可拆卸连接。

7.根据权利要求6所述的晶体生长炉，其特征在于：所述的进气通道的底端设有卡扣/卡口，所述的喷头的顶端配合设有卡口/卡扣。

8.根据权利要求4所述的晶体生长炉，其特征在于：所述进气通道的材质为石英、刚玉、陶瓷或石墨。

9.根据权利要求1或4所述的晶体生长炉，其特征在于：还包括冷却侧壁，所述的冷却侧壁形成一收容空间，所述的反应室位于该收容空间内，所述的加热装置为绕设于所述冷却侧壁的感应线圈。

10.根据权利要求9所述的晶体生长炉，其特征在于：所述的冷却侧壁为双层的水冷侧壁。