[发明专利]功率模块有效
申请号: | 201310124301.0 | 申请日: | 2013-04-11 |
公开(公告)号: | CN103633077A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 白石卓也;田中智典 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/495;H01L23/367;H01L23/31;H02M7/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 发明涉及功率模块。功率模块(1)具备:IGBT(2);MOSFET(3),与IGBT(2)并联连接;引线框(10),具有搭载有IGBT(2)的第一框部(11)和搭载有MOSFET(3)的第二框部(12),并且形成有第一框部(11)位于第一高度、第二框部(12)位于比第一高度高的第二高度的阶梯差(13);以及散热体的绝缘片(30),在引线框(10)中仅配置于第一框部(11)的背面。从而能够调整IGBT与MOSFET的损耗负担并提高成本效率。 | ||
搜索关键词: | 功率 模块 | ||
【主权项】:
一种功率模块,其中包括:IGBT;MOSFET,与所述IGBT并联连接;引线框,具有搭载有所述IGBT的第一框部和搭载有所述MOSFET的第二框部,并且形成有所述第一框部位于第一高度、所述第二框部位于比所述第一高度高的第二高度的阶梯差;以及散热体的绝缘片,在所述引线框中仅配置于所述第一框部背面。
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