[发明专利]功率模块

权利要求书

1. 一种功率模块，其中包括：

IGBT；

MOSFET，与所述IGBT并联连接；

引线框，具有搭载有所述IGBT的第一框部和搭载有所述MOSFET的第二框部，并且形成有所述第一框部位于第一高度、所述第二框部位于比所述第一高度高的第二高度的阶梯差；以及

散热体的绝缘片，在所述引线框中仅配置于所述第一框部背面。

2. 根据权利要求1所述的功率模块，其中还包括：

驱动电路，驱动所述IGBT和所述MOSFET，

所述驱动电路以按所述IGBT、所述MOSFET的顺序接通，并且按所述MOSFET、所述IGBT的顺序关断的方式驱动所述IGBT和所述MOSFET。

3. 根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述MOSFET的导通阈电压比所述IGBT的导通阈电压高。

4. 根据权利要求1～3中任一项所述的功率模块，其中，所述MOSFET为SiC-MOSFET。

5. 根据权利要求2所述的功率模块，其中还包括：

其他引线框，具有搭载有所述驱动电路的第三框部，

所述第三框部形成于比所述第一高度高的第三高度，并且，在所述第一、第二框部之中，所述第三框部邻接于所述第二框部。

6. 根据权利要求1所述的功率模块，其中还包括：

模塑树脂，密封所述IGBT、所述MOSFET和所述引线框的内引线，

在所述引线框中，在所述第一、第二框部和外引线之间形成有区别于所述阶梯差的阶梯差。