[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201310123423.8 | 申请日： | 2013-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104103574B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制作方法。所述方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；在所述介质层上形成矩阵式排布的多个柱状结构；在每个所述柱状结构的侧面形成位于所述介质层上的侧墙，同一行或同一列中相邻两个所述柱状结构之间的距离小于或等于所述侧墙厚度的两倍；去除所述柱状结构；以所述侧墙为掩模，刻蚀所述介质层，直至在所述介质层中形成多个沟槽或通孔。本发明可以提高通孔或沟槽的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；在所述介质层上形成矩阵式排布的多个柱状结构；在每个所述柱状结构的侧面形成位于所述介质层上的侧墙，同一行或同一列中相邻两个所述柱状结构之间的距离小于所述侧墙厚度的两倍；去除所述柱状结构；在所述介质层边缘上形成保护层；以所述保护层和所述侧墙为掩模，刻蚀所述介质层，直至在所述介质层中形成多个沟槽或通孔；所述柱状结构的材料与所述侧墙的材料不同，所述柱状结构的材料包括以下一种或多种的任意组合：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮化钛、氮化铜，所述柱状结构采用刻蚀工艺去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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