[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201310123423.8 | 申请日： | 2013-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104103574B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成介质层；
在所述介质层上形成矩阵式排布的多个柱状结构；
在每个所述柱状结构的侧面形成位于所述介质层上的侧墙，同一行或同一列中相邻两个所述柱状结构之间的距离小于所述侧墙厚度的两倍；
去除所述柱状结构；
在所述介质层边缘上形成保护层；
以所述保护层和所述侧墙为掩模，刻蚀所述介质层，直至在所述介质层中形成多个沟槽或通孔；
所述柱状结构的材料与所述侧墙的材料不同，所述柱状结构的材料包括以下一种或多种的任意组合：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮化钛、氮化铜，所述柱状结构采用刻蚀工艺去除。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述侧墙的材料包括以下一种或多种的任意组合：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮化钛、氮化铜。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述侧墙的工艺包括原子层沉积工艺。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述柱状结构的横截面形状包括圆形、椭圆形或菱形。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述柱状结构为圆柱，所述圆柱的直径范围包括：10nm～180nm。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述介质层的材料包括以下一种或多种的任意组合：氧化硅、黑钻石、含碳氧化硅。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述柱状结构的材料为光刻胶、无定形碳或由正硅酸乙酯形成的氧化硅，所述柱状结构采用灰化工艺去除。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括：在形成所述沟槽或通孔之后，在所述沟槽或通孔中填充满金属材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
