[发明专利]一种无源无线电容式湿度传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种无源无线电容式湿度传感器的制备方法，包括以下步骤：步骤10）在硅衬底上热氧化生长一层热氧化层；步骤20）在热氧化层上淀积一层多晶硅层，并在多晶硅层上光刻多晶硅加热电阻；步骤30）在多晶硅层淀积二氧化硅层；步骤40）在二氧化硅层的顶面溅射一铝层，然后在铝层上刻蚀梳齿状电极、金属引线锚区、金属电感和加热电阻锚区；步骤50）在铝层上方淀积钝化层；步骤60）将位于电极上方以及位于电极侧壁的钝化层刻蚀去除，然后对位于被刻蚀的钝化层下方的二氧化硅层进行刻蚀，最后填充聚酰亚胺层，制成无源无线电容式湿度传感器。该制备方法可以实现批量化、大规模生产湿度传感器，工艺简单，且一致性、可靠性高。

主权项

一种无源无线电容式湿度传感器的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：步骤10）采用热氧化工艺，在硅衬底（1）上热氧化生长一层热氧化层（2）；步骤20）采用低压化学气相淀积法，在步骤10）制备的热氧化层（2）上淀积一层多晶硅层（3），并采用光刻工艺，在多晶硅层（3）上光刻多晶硅加热电阻（8）；步骤30）采用低压化学气相淀积法，在步骤20）制成的多晶硅层（3）淀积二氧化硅层（4），利用反应离子刻蚀法，在二氧化硅层（4）上刻蚀接触孔，该接触孔位于多晶硅加热电阻（8）的末端；步骤40）采用溅射工艺，在步骤30）制成的二氧化硅层（4）的顶面溅射一铝层（5），然后采用光刻工艺，在铝层（5）上刻蚀梳齿状电极（9）、金属引线锚区、金属电感（11）和加热电阻锚区（14）；步骤50）利用等离子体增强化学气相沉积法，在步骤40）制成的铝层（5）上方淀积一层钝化层（6）；步骤60）利用反应离子刻蚀法，将位于电极（9）上方以及位于电极（9）侧壁的钝化层刻蚀去除，然后采用刻蚀法，对位于被刻蚀的钝化层下方的二氧化硅层（4）进行刻蚀，在二氧化硅层（4）上形成凹槽，最后采用旋涂工艺，在电极（9）上方和电极（9）侧壁上，填充聚酰亚胺层（7），制成无源无线电容式湿度传感器。