[发明专利]一种无源无线电容式湿度传感器的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310117713.1 申请日: 2013-04-08
公开(公告)号: CN103213942A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 陈洁;张聪;秦明;黄庆安 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;G01N27/22
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 杨晓玲
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 无源 无线 电容 湿度 传感器 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种无源无线电容式湿度传感器的制备方法,其特征在于,该制备方法包括以下步骤:

步骤10)采用热氧化工艺,在硅衬底(1)上热氧化生长一层热氧化层(2);

步骤20)采用低压化学气相淀积法,在步骤10)制备的热氧化层(2)上淀积一层多晶硅层(3),并采用光刻工艺,在多晶硅层(3)上光刻多晶硅加热电阻(8);

步骤30)采用低压化学气相淀积法,在步骤20)制成的多晶硅层(3)淀积二氧化硅层(4),利用反应离子刻蚀法,在二氧化硅层(4)上刻蚀接触孔,该接触孔位于多晶硅加热电阻(8)的末端;

步骤40)采用溅射工艺,在步骤30)制成的二氧化硅层(4)的顶面溅射一铝层(5),然后采用光刻工艺,在铝层(5)上刻蚀梳齿状电极(9)、金属引线锚区、金属电感(11)和加热电阻锚区(14);

步骤50)利用等离子体增强化学气相沉积法,在步骤40)制成的铝层(5)上方淀积一层钝化层(6);

步骤60)利用反应离子刻蚀法,将位于电极(9)上方以及位于电极(9)侧壁的钝化层刻蚀去除,然后采用刻蚀法,对位于被刻蚀的钝化层下方的二氧化硅层(4)进行刻蚀,在二氧化硅层(4)上形成凹槽,最后采用旋涂工艺,在电极(9)上方和电极(9)侧壁上,填充聚酰亚胺层(7),制成无源无线电容式湿度传感器。

2.按照权利要求1所述的无源无线电容式湿度传感器的制备方法,其特征在于,所述的步骤40)中,电极(9)位于多晶硅加热电阻(8)的正上方。

3.按照权利要求1所述的无源无线电容式湿度传感器的制备方法,其特征在于,所述的步骤40)中,金属电感(11)呈环形,梳齿状电极(9)位于金属电感(11)的中部,金属引线锚区位于金属电感(11)的外侧。

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