[发明专利]带粘接膜的芯片的形成方法有效
申请号: | 201310110400.3 | 申请日: | 2013-04-01 |
公开(公告)号: | CN103367219B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 卡尔·普利瓦西尔 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 党晓林,王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供带粘接膜的芯片的形成方法,对于用于形成在背面粘贴有粘接膜的芯片的带粘接膜的芯片的形成方法,针对粘接膜的断开,提供用于解决上述问题的技术。带粘接膜的芯片的形成方法具备在实施了粘接膜分割槽形成步骤后,将扩张片粘贴到在晶片粘贴的粘接膜上的扩张片粘贴步骤;以及在实施了扩张片粘贴步骤后,通过使扩张片扩张来对晶片施加外力,将晶片和粘接膜分割成一个个芯片,形成多个在背面粘贴有粘接膜的带粘接膜的芯片的分割步骤。 | ||
搜索关键词: | 带粘接膜 芯片 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种带粘接膜的芯片的形成方法,所述带粘接膜的芯片的形成方法用于形成在背面粘贴有粘接膜的带粘接膜的芯片,所述带粘接膜的芯片的形成方法的特征在于,所述带粘接膜的芯片的形成方法具备:分割起点形成步骤,在该分割起点形成步骤中,在设定有交叉的多条分割预定线的晶片形成沿着所述分割预定线的分割起点;粘接膜粘贴步骤,在该粘接膜粘贴步骤中,在实施了所述分割起点形成步骤后,将粘接膜粘贴至晶片的背面;粘接膜分割槽形成步骤,在该粘接膜分割槽形成步骤中,在实施了所述粘接膜粘贴步骤后,利用激光束的照射或切削刀具在所述粘接膜形成沿着所述分割预定线的分割槽;扩张片粘贴步骤,在该扩张片粘贴步骤中,在实施了所述粘接膜分割槽形成步骤后,将扩张片粘贴到在晶片粘贴的所述粘接膜上;分割步骤,在该分割步骤中,在实施了所述扩张片粘贴步骤后,通过使所述扩张片扩张来对晶片施加外力,将晶片和所述粘接膜分割成一个个芯片,而形成多个在背面粘贴有粘接膜的带粘接膜的芯片;以及磨削步骤,在该磨削步骤中,在实施所述分割起点形成步骤前,磨削晶片的背面而形成圆形凹部,并且形成围绕所述圆形凹部的环状凸部,在该分割起点形成步骤中,对晶片的背面照射激光束而形成作为分割起点的改性层,并且在晶片的外周剩余区域不形成圆形的改性层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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