[发明专利]带粘接膜的芯片的形成方法有效
申请号: | 201310110400.3 | 申请日: | 2013-04-01 |
公开(公告)号: | CN103367219B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 卡尔·普利瓦西尔 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 党晓林,王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带粘接膜 芯片 形成 方法 | ||
1.一种带粘接膜的芯片的形成方法,所述带粘接膜的芯片的形成方法用于形成在背面粘贴有粘接膜的带粘接膜的芯片,所述带粘接膜的芯片的形成方法的特征在于,
所述带粘接膜的芯片的形成方法具备:
分割起点形成步骤,在该分割起点形成步骤中,在设定有交叉的多条分割预定线的晶片形成沿着所述分割预定线的分割起点;
粘接膜粘贴步骤,在该粘接膜粘贴步骤中,在实施了所述分割起点形成步骤后,将粘接膜粘贴至晶片的背面;
粘接膜分割槽形成步骤,在该粘接膜分割槽形成步骤中,在实施了所述粘接膜粘贴步骤后,利用激光束的照射或切削刀具在所述粘接膜形成沿着所述分割预定线的分割槽;
扩张片粘贴步骤,在该扩张片粘贴步骤中,在实施了所述粘接膜分割槽形成步骤后,将扩张片粘贴到在晶片粘贴的所述粘接膜上;
分割步骤,在该分割步骤中,在实施了所述扩张片粘贴步骤后,通过使所述扩张片扩张来对晶片施加外力,将晶片和所述粘接膜分割成一个个芯片,而形成多个在背面粘贴有粘接膜的带粘接膜的芯片;以及
磨削步骤,在该磨削步骤中,在实施所述分割起点形成步骤前,磨削晶片的背面而形成圆形凹部,并且形成围绕所述圆形凹部的环状凸部,
在该分割起点形成步骤中,对晶片的背面照射激光束而形成作为分割起点的改性层,并且在晶片的外周剩余区域不形成圆形的改性层。
2.根据权利要求1所述的带粘接膜的芯片的形成方法,其特征在于,
在所述分割步骤中,在使所述扩张片扩张前,从晶片的表面在该外周剩余区域形成圆形的改性层或分割槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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