[发明专利]带粘接膜的芯片的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于形成在背面粘贴有粘接膜的芯片的带粘接膜的芯片的形成方法。

背景技术

以往，如专利文献1所述，已知在背面粘贴有粘接膜（粘结层）的半导体芯片的制造方法。粘接膜被称为DAF（Die Attach Film，芯片粘结薄膜），其用于晶片接合。

而且，如专利文献2所述，已知所谓的预切割法：沿着在形成有半导体元件的晶片上呈格子状配置的切割线，从半导体元件的形成面侧形成比完成时的芯片的厚度深的槽，然后磨削和研磨晶片的背面至完成时的芯片的厚度，将晶片分离成一个个芯片。

并且，如专利文献3所述，已知下述方法：对已经利用预切割法分割成芯片的晶片粘贴粘接膜，然后，通过在相邻的芯片之间向粘接膜照射激光束，从而使粘接膜断开。

另一方面，如专利文献4所述，已知下述方法：不利用激光束使粘接膜断开，而以分割装置撕裂粘接膜。

专利文献1：日本特开2000-182995号公报

专利文献2：日本特开平11-040520号公报

专利文献3：日本特开2002-118081号公报

专利文献4：日本特开2005-223283号公报

但是，如专利文献3所公开的，在对利用预分割法暂时分割成芯片的晶片粘贴粘接膜的方式中，担心在粘贴粘接膜时分割出的芯片移动，即发生所谓的芯片移位（die shift）。而且，若发生这样的芯片移位，则在相邻的芯片间的间隙形成的应照射激光束的线不直（不是直线状）而弯曲，或者，根据情况不同芯片间的间隙会消失。

并且，若应照射激光束的线弯曲，则需要随着所述弯曲照射激光束，从而对激光束照射的控制变得非常难。而且，若芯片间的间隙消失，则不能进行激光束的照射。

另一方面，在专利文献4所公开的以分割装置撕裂粘接膜的方法中，例如，对于芯片尺寸在1mm见方以下的小芯片，在撕裂粘接膜的时候，存在着产生粘接膜未被断开的区域的危险。而且，由于被撕裂的粘接膜形成得比芯片大，所以存在着被撕裂的粘接膜的端部附着于芯片的侧面和表面，以后引起拾取不良和器件不良的危险。

发明内容

本发明正是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于，对用于形成在背面粘贴有粘接膜的芯片的带粘接膜的芯片的形成方法，针对粘接膜的断开，提供用于解决上述问题的技术。

根据技术方案1所述的发明，提供一种带粘接膜的芯片的形成方法，其用于形成在背面粘贴有粘接膜的带粘接膜的芯片，所述带粘接膜的芯片的形成方法具备：分割起点形成步骤，在该分割起点形成步骤中，在设定有交叉的多条分割预定线的晶片形成沿着分割预定线的分割起点；粘接膜粘贴步骤，在该粘接膜粘贴步骤中，在实施了分割起点形成步骤后，将粘接膜粘贴至晶片的背面；粘接膜分割槽形成步骤，在该粘接膜分割槽形成步骤中，在实施了粘接膜粘贴步骤后，利用激光束的照射或切削刀具在粘接膜形成沿着分割预定线的分割槽；扩张片粘贴步骤，在该扩张片粘贴步骤中，在实施了粘接膜分割槽形成步骤后，将扩张片粘贴到在晶片粘贴的粘接膜上；以及分割步骤，在该分割步骤中，在实施了扩张片粘贴步骤后，通过使扩张片扩张来对晶片施加外力，将晶片和粘接膜分割成一个个芯片，而形成多个在背面粘贴有粘接膜的带粘接膜的芯片。

根据技术方案2所述的发明，提供一种带粘接膜芯片的形成方法，所述带粘接膜的芯片的形成方法还具备磨削步骤，在该磨削步骤中，在实施分割起点形成步骤前，磨削晶片的背面而形成圆形凹部，并且形成围绕所述圆形凹部的环状凸部。

根据本发明，当在晶片形成分割起点后，在将晶片分割成一个个芯片之前，在晶片的背面粘贴粘接膜。之后，在粘接膜形成沿着芯片间的间隙的分割槽，将晶片分割成一个个芯片。

根据该方法，在粘接膜的粘贴时，晶片未被分割，因此不会发生芯片移位，不会出现在芯片间的间隙形成的分割预定线弯曲和间隙消失的情况。并且，由于是形成沿着芯片间的间隙的分割槽来将晶片分割成一个个芯片，因此不会产生在撕裂粘接膜的方法中的不良情况。

附图说明

图1是示出作为加工对象的半导体晶片的立体图。

图2是用于实施磨削步骤的磨削单元的立体图。

图3是用于实施分割起点形成步骤的激光加工装置的立体图。

图4是激光束照射单元的框图。

图5的（A）是示出粘贴有保护带的晶片的剖视图。图5的（B）是示出构成有圆形凹部的晶片的剖视图。图5的（C）是示出形成有改性层的晶片的剖视图。图5的（D）是示出粘贴有粘接膜的晶片的剖视图。

图6是示出在粘接膜形成有分割槽的晶片的剖视图。