[发明专利]半导体存储装置以及该半导体存储装置的驱动方法有效
| 申请号： | 201310110387.1 | 申请日： | 2013-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103390427A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 小川裕之 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;H01L27/115 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郝新慧;张浴月 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置，包括：第一和第二n阱；第一和第二p沟道存储晶体管，分别形成在第一和第二n阱中的；以及位线，连接至第一p沟道晶体管的漏极和第二p沟道存储晶体管的漏极；在编程该半导体存储装置时，将第一电压施加到第一位线，将第二电压施加到第一n阱，并将低于第二电压的第三电压施加到第二n阱。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 以及 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：第一n阱，形成在半导体衬底中；第二n阱，形成在所述半导体衬底中并且与所述第一n阱电性隔离；第一p沟道存储晶体管，形成在所述第一n阱中；第二p沟道存储晶体管，形成在所述第二n阱中；第一字线，连接至所述第一p沟道存储晶体管的控制栅极；第二字线，连接至所述第二p沟道存储晶体管的控制栅极；第一位线，连接至所述第一p沟道存储晶体管的漏极以及所述第二p沟道存储晶体管的漏极；以及控制电路，在所述第一p沟道存储晶体管中编程时，将第一电压施加到所述第一位线，将第二电压施加到所述第一n阱，以及将低于所述第二电压的第三电压施加到所述第二n阱。
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