[发明专利]一种提高近红外高反膜激光损伤阈值的镀制方法无效
申请号: | 201310102800.X | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN103215550A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 鲍刚华;程鑫彬;宋智;焦宏飞;王占山 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | C23C14/30 | 分类号: | C23C14/30;C23C14/08;G02B1/10 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 张磊 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种提高近红外高反膜激光损伤阈值的镀制方法,该方法属于薄膜光学领域,主要针对近红外激光高反膜中限制阈值的瓶颈——节瘤。当前的技术手段主要通过消除节瘤,即降低节瘤密度和尺寸来提升薄膜的阈值。但在当前技术条件下,消除节瘤需要耗费巨大的成本,而且无法完全消除。本发明提出了一种直接改善节瘤阈值从而提升薄膜阈值的方法。理论和实践已经证明,镀膜工艺决定了节瘤的几何特性,而节瘤的几何特性与抗激光损伤特性息息相关。通过加大薄膜分子在基板沉积的入射角,降低入射分子的沉积动能,可以使得节瘤的阈值得到明显改善。此方法具有针对性强、效率高、简单易行的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 红外 高反膜 激光 损伤 阈值 方法 | ||
【主权项】:
一种提高光学薄膜激光损伤阈值的镀制方法,其特征在于具体步骤如下:(1)将基板清洗干净,然后利用高纯氮气吹干后放入镀膜机内;(2)控制镀膜机内真空室的本底真空度为1×10‑3Pa~3×10‑3Pa,将基板加热至200度,并恒温80分钟;(3) 固定基板与蒸发源HfO2和SiO2的相对位置,采用电子束交替蒸发HfO2和SiO2;控制蒸镀时的氧分压为1.0E‑2Pa~3.0E‑2Pa,速率为0.05nm/s~0.3nm/s;(4)待真空室内温度自然冷却至室温后取出镀制好的样品。
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