[发明专利]一种提高近红外高反膜激光损伤阈值的镀制方法无效

专利信息
申请号: 201310102800.X 申请日: 2013-03-28
公开(公告)号: CN103215550A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 鲍刚华;程鑫彬;宋智;焦宏飞;王占山 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C23C14/30 分类号: C23C14/30;C23C14/08;G02B1/10
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 张磊
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种提高近红外高反膜激光损伤阈值的镀制方法,该方法属于薄膜光学领域,主要针对近红外激光高反膜中限制阈值的瓶颈——节瘤。当前的技术手段主要通过消除节瘤,即降低节瘤密度和尺寸来提升薄膜的阈值。但在当前技术条件下,消除节瘤需要耗费巨大的成本,而且无法完全消除。本发明提出了一种直接改善节瘤阈值从而提升薄膜阈值的方法。理论和实践已经证明,镀膜工艺决定了节瘤的几何特性,而节瘤的几何特性与抗激光损伤特性息息相关。通过加大薄膜分子在基板沉积的入射角,降低入射分子的沉积动能,可以使得节瘤的阈值得到明显改善。此方法具有针对性强、效率高、简单易行的特点。
搜索关键词: 一种 提高 红外 高反膜 激光 损伤 阈值 方法
【主权项】:
一种提高光学薄膜激光损伤阈值的镀制方法,其特征在于具体步骤如下:(1)将基板清洗干净,然后利用高纯氮气吹干后放入镀膜机内;(2)控制镀膜机内真空室的本底真空度为1×10‑3Pa~3×10‑3Pa,将基板加热至200度,并恒温80分钟;(3) 固定基板与蒸发源HfO2和SiO2的相对位置,采用电子束交替蒸发HfO2和SiO2;控制蒸镀时的氧分压为1.0E‑2Pa~3.0E‑2Pa,速率为0.05nm/s~0.3nm/s;(4)待真空室内温度自然冷却至室温后取出镀制好的样品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同济大学,未经同济大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310102800.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top