[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310099950.X | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103441095B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 武田康裕;组桥孝生;柳田博史;竹内隆;松田安司 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体集成电路器件的制造方法。TSV技术已经作为多个半导体芯片的堆叠技术中的一种而得以普及。但是本发明人发现当利用所谓的通孔优先工艺、通孔中间工艺、正通孔通孔最后工艺等形成TSV时，可能会发生由后续工艺中的静电击穿导致的诸如栅击穿的缺陷。为了克服上述问题，本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，其中通过在半导体衬底中形成孔、在空中形成绝缘构件以及在所得的空中掩埋导电构件且同时利用绝缘构件覆盖除底部之外的孔的部分来形成贯通通孔电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路器件的制造方法，包括步骤：(a)制备具有器件主表面和背表面的半导体晶片；(b)从所述半导体晶片的所述器件主表面至所述半导体晶片的半导体表面区形成多个到达其内部的孔；(c)在所述孔的内表面上形成绝缘膜；(d)在步骤(c)之后，从所述孔的底部除去所述绝缘膜，并且在利用所述绝缘膜覆盖所述孔的除所述孔的底部之外的所述内表面的情况下，在所述孔中掩埋导电构件，并且由此形成多个贯通通孔电极；以及(e)在步骤(d)之后但在晶片工艺期间，对所述晶片的所述器件主表面照射电子束以测试所述贯通通孔电极的导电状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
