[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括步骤：

（a）制备具有器件主表面和背表面的半导体晶片；

（b）从所述半导体晶片的所述器件主表面至所述半导体晶片的半导体表面区形成多个到达其内部的孔；

（c）在所述孔的内表面上形成绝缘膜；以及

（d）在步骤（c）之后，在利用所述绝缘膜覆盖所述孔的除所述孔的底部之外的所述内表面的同时，在所述孔中掩埋导电构件，并且由此形成多个贯通通孔电极。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件的制造方法，还包括步骤：

（e）在晶片工艺中，将至少一个所述贯通通孔电极电耦合至栅电极。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中，利用通孔中间工艺形成所述贯通通孔电极。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中，在形成第一级布线的步骤中但在不同于掩埋所述第一级布线的时刻掩埋所述贯通通孔电极。

5.根据权利要求3所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中，与第一级布线的掩埋同时地掩埋所述贯通通孔电极。

6.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中，利用通孔最后工艺形成所述贯通通孔电极。

7.根据权利要求6所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中，在形成除焊盘层之外的最上级布线的步骤期间形成所述贯通通孔电极。

8.根据权利要求7所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中，至少一个所述贯通通孔电极通过属于所述焊盘层的布线电耦合至焊盘。

9.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件的制造方法，还包括步骤：

（f）在步骤（d）之后但在晶片工艺期间，对所述晶片的所述器件主表面照射电子束以测试所述贯通通孔电极的导电状态。

10.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中，利用通孔优先工艺形成所述贯通通孔电极。

11.根据权利要求10所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中，在栅电极形成步骤中但在不同于形成栅电极膜的时刻执行所述贯通通孔电极的掩埋。

12.根据权利要求10所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中，与栅电极膜的形成同时地执行所述贯通通孔电极的掩埋。

13.根据权利要求10所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中，在接触形成步骤中但在不同于形成接触插塞的时刻执行所述贯通通孔电极的掩埋。

14.根据权利要求10所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中，与接触插塞的形成同时地执行所述贯通通孔电极的掩埋。

15.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中，至少在步骤（d）之后，所述贯通通孔电极的每一个的下端附近的半导体区具有重掺杂区，所述重掺杂区的导电类型与其周围的半导体区的导电类型相同并且具有高杂质浓度。

16.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中，所述贯通通孔电极具有主要以钛膜作为外层且以氮化钛膜作为内层的阻挡金属结构。

17.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件的制造方法，

其中，所述贯通通孔电极的每一个的下端及其附近的半导体区之间具有金属硅化物层。

18.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件的制造方法，还包括步骤：

（g）在步骤（d）之后，从所述半导体晶片的所述背表面侧对所述半导体晶片进行膜减薄处理以暴露所述半导体晶片的所述背表面侧上的所述贯通通孔电极。

19.根据权利要求18所述的半导体集成电路器件的制造方法，还包括步骤：

（h）在步骤（g）之后，所述贯通通孔电极耦合至在另一半导体衬底上提供的凸块电极。