[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201310099941.0 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103681855A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 金旲勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;石卓琼 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种保证高电压半导体器件所需的击穿电压特性和比导通电阻特性两者的半导体器件，且半导体器件包括：在衬底之上的栅极；形成在栅极的一侧处的源极区；形成在栅极的另一侧处的漏极区；以及形成在栅极之下在源极区与漏极区之间的多个器件隔离膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：栅极，所述栅极形成在衬底之上；源极区，所述源极区形成在所述栅极的一侧处；漏极区，所述漏极区形成在所述栅极的另一侧处；以及多个器件隔离膜，所述多个器件隔离膜被形成在所述栅极之下在所述源极区与所述漏极区之间。
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