[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅极，所述栅极形成在衬底之上；

源极区，所述源极区形成在所述栅极的一侧处；

漏极区，所述漏极区形成在所述栅极的另一侧处；以及

多个器件隔离膜，所述多个器件隔离膜被形成在所述栅极之下在所述源极区与所述漏极区之间。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个器件隔离膜具有相同线宽，或者所述多个器件隔离膜的线宽随着从所述漏极区朝向所述源极区的方向而逐渐减小。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个器件隔离膜具有相同深度，或者所述多个器件隔离膜的深度随着从所述漏极区朝向所述源极区的方向而逐渐减小。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述多个器件隔离膜之中，位于最靠近所述漏极区的器件隔离膜与所述漏极区接触。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，在所述多个器件隔离膜之中，位于最靠近所述漏极区的所述器件隔离膜具有最大的线宽和深度。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个器件隔离膜包括通过浅沟槽隔离STI工艺形成的结构。

7.一种半导体器件，包括：

第二导电类型深阱，所述第二导电类型深阱被形成在衬底之上；

第一导电类型阱，所述第一导电类型阱被形成在所述第二导电类型深阱中；

栅极，所述栅极被形成在所述衬底之上，以便与所述第一导电类型阱部分地重叠；

第二导电类型源极区，所述第二导电类型源极区被形成在所述栅极的一侧处的所述第一导电类型阱中；

第二导电类型漏极区，所述第二导电类型漏极区位于所述栅极的另一侧处的所述第二导电类型深阱中；以及

多个器件隔离膜，所述多个器件隔离膜被形成在所述栅极之下的所述第二导电类型深阱中。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述多个器件隔离膜具有相同线宽，或者所述多个器件隔离膜的线宽随着从所述漏极区朝向所述源极区的方向而逐渐减小。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述多个器件隔离膜具有相同深度，或者所述多个器件隔离膜的深度随着从所述漏极区朝向所述源极区的方向而逐渐减小。

10.如权利要求7所述的半导体器件，其中，在所述多个器件隔离膜之中，位于最靠近所述漏极区的器件隔离膜与所述漏极区接触。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中，在所述多个器件隔离膜之中，位于最靠近所述漏极区的所述器件隔离膜具有最大的线宽和深度。

12.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述多个器件隔离膜包括通过浅沟槽隔离STI工艺形成的结构。

13.一种半导体器件包括：

第一导电类型衬底；

第一导电类型第一阱和第二导电类型第二阱，所述第一导电类型第一阱和第二导电类型第二阱形成在所述第一导电类型衬底之上；

栅极，所述栅极被形成在所述第一导电类型衬底之上以便与所述第一导电类型第一阱和所述第二导电类型第二阱重叠；

第二导电类型源极区，所述第二导电类型源极区被形成在所述栅极的一侧处的所述第一导电类型第一阱中；

第二导电类型漏极区，所述第二导电类型漏极区被形成在所述栅极的另一侧处的所述第二导电类型第二阱中；以及

多个器件隔离膜，所述多个器件隔离膜被形成在所述栅极之下的所述第二导电类型第二阱中。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其中，在所述栅极之下彼此面对的所述第一导电类型第一阱和所述第二导电类型第二阱彼此以预定的距离间隔开或彼此接触。

15.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述多个器件隔离膜具有相同线宽，或者所述多个器件隔离膜的线宽随着从所述漏极区朝向所述源极区的方向而逐渐减小。

16.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述多个器件隔离膜具有相同深度，或者所述多个器件隔离膜的深度随着从所述漏极区朝向所述源极区的方向而逐渐减小。

17.如权利要求13所述的半导体器件，其中，在所述多个器件隔离膜之中，位于最靠近所述漏极区的器件隔离膜与所述漏极区接触。