[发明专利]阵列基板、阵列基板制备方法以及显示装置有效

专利信息
申请号: 201310097845.2 申请日: 2013-03-25
公开(公告)号: CN103178119A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 金熙哲;宋泳锡;刘圣烈;崔承镇 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及液晶显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、阵列基板制备方法以及显示装置。本发明的一种阵列基板,首先在栅电极与漏电极和源电极之间形成有填充层,由于填充层增大了栅电极与漏电极以及源电极之间的距离,进而减少了栅线和源电极以及像素电极之间形成的电容;进一步的,本发明的阵列基板钝化层过孔设置在栅线之上,这样不但增加了有效透光区域,从而增大了像素的开口率,而且没有增加跳变电压,不会引起图像闪烁或者残像等产品不良;因此,本发明提高了光透过率以及分辨率,并且由于减少了背光模组能耗,节省了成本,同时提升了应用该阵列基板的显示装置的显示品质。
搜索关键词: 阵列 制备 方法 以及 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板,包括基板、形成在所述基板上的数据线以及栅线,所述数据线以及栅线限定的像素区域内设置有薄膜晶体管以及像素电极,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:与所述栅线连接的栅电极;设置在所述栅线和栅电极上方的栅绝缘层;设置于所述栅电极对应区域上方的有源层;分别设置在所述有源层两侧的漏电极和源电极;设置在所述栅电极与漏电极和源电极之间的填充层;设置在所述源电极、漏电极及有源层上的钝化层,所述钝化层对应于栅线的位置,开设有使所述漏电极与像素电极连接的钝化层过孔。
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