[发明专利]阵列基板、阵列基板制备方法以及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括基板、形成在所述基板上的数据线以及栅线，所述数据线以及栅线限定的像素区域内设置有薄膜晶体管以及像素电极，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

与所述栅线连接的栅电极；

设置在所述栅线和栅电极上方的栅绝缘层；

设置于所述栅电极对应区域上方的有源层；

分别设置在所述有源层两侧的漏电极和源电极；

设置在所述栅电极与漏电极和源电极之间的填充层；

设置在所述源电极、漏电极及有源层上的钝化层，所述钝化层对应于栅线的位置，开设有使所述漏电极与像素电极连接的钝化层过孔。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述填充层厚度为

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述填充层为非电介质材料。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述填充层由感光树脂发生固化反应形成。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道区域呈U型，其开口背离所述数据线。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线宽度与所述沟道区域宽度相同。

7.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括步骤：

在所述基板上形成栅线、栅电极以及栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有源层、漏电极和源电极；

在所述栅电极与漏电极和源电极之间形成填充层；

在所述源电极、漏电极及有源层上形成钝化层及钝化层过孔；

形成通过钝化层过孔与所述漏电极连接的像素电极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1.在所述基板上形成栅线、栅电极并在所述栅线以及栅电极上形成覆盖整个基板的栅绝缘层；

S2.在所述栅绝缘层上形成填充层；

S3.在所述栅绝缘层以及填充层上形成有源层、漏电极和源电极；

S4.在所述源电极、漏电极及沟道区域上形成钝化层；

S5.在所述钝化层位于所述栅线以及漏电极上方的位置开设钝化层过孔；

S6.形成通过钝化层过孔与所述漏电极连接的像素电极。

9.根据权利要求8所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

S201.在所述栅绝缘层上涂覆一层感光树脂；

S202.通过双色调掩膜板曝光，形成对应所述填充层的感光树脂完全保留区域、对应所述沟道区域的感光树脂半保留区域以及对应栅电极接线区域的感光树脂完全去除区域；

S203.显影处理后，通过刻蚀工艺去除感光树脂完全去除区域的栅绝缘层；

S204.通过灰化工艺去除感光树脂半保留区域的感光树脂，暴露出栅绝缘层。

10.根据权利要求9所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

S301.在所述在栅绝缘层以及填充层上沉积半导体层、掺杂半导体层以及源-漏金属层；

S302.在所述与源-漏金属层上涂覆一层光刻胶；

S303.通过双色调掩模板曝光，形成对应所述源电极以及漏电极区域的光刻胶完全保留区域、对应所述沟道区域的光刻胶半保留区域以及对应上述区域之外区域的光刻胶完全去除区域；

S304.显影处理后，通过第一次刻蚀工艺去除光刻胶完全去除区域的源-漏金属层、掺杂半导体层以及半导体层；

S305.通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶；

S306.通过第二次刻蚀工艺去除光刻胶半保留区域的源-漏金属层以及掺杂半导体层，并去除部分厚度的半导体层；

S307.剥离剩余的光刻胶。

11.一种显示装置，其特征在于，包括权利1-6任意一项所述的阵列基板。