[发明专利]阵列基板、阵列基板制备方法以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、阵列基板制备方法以及显示装置。

背景技术

液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）由于具有画面稳定、图像逼真、消除辐射、节省空间以及节省能耗等优点，现已占据了平面显示领域的主导地位。TFT-LCD（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）是目前主流的液晶显示器。

液晶显示器中有一个很重要的规格是光透过率，而决定光透过率最重要的因素就是开口率。开口率简单的来说就是光线能透过的有效区域比例；液晶面板包括阵列基板和彩膜基板，其中，阵列基板平面示意图如图1中所示，其上设有栅线15’，垂直于栅线15’设有数据线16’，栅线15’和数据线16’之间限定有像素区域，像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极12’，薄膜晶体管的栅电极2’与栅线15’连接、源电极9’与数据线16’连接、漏电极8’通过钝化层过孔11’与像素电极12’连接。当光线经由背光板发射出来时，并不是所有的光线都能穿过面板，比如给驱动芯片、信号走线、薄膜晶体管以及储存电容等区域除了可能不完全透光外，也可能经过这些地方的光线并不受到电压的控制，而无法显示正确的灰阶，所以都需利用BM（Black Matrix，黑矩阵）加以遮蔽，以免干扰到其它透光区域的正确亮度。所以有效的透光区域，就只剩下图1中A区域所显示的区域，这一块有效的透光区域与全部面积的比例就称之为开口率。只要提高开口率，便可以增加光透过率以及分辨率，而同时背光板的亮度也不用特别的高，可以节省耗电及成本。

现有技术中，为了增加开口率，在不断针对影响开口率的各个因素进行优化。但是，现有技术中钝化层过孔通常不设置在栅线区域之上，栅线和源电极以及像素电极之间形成的电容C_gs的大小为30fF-100fF，因此跳变电压ΔV_p在0.5V-1.0V之间；如果将钝化层过孔设置在栅线区域之上，则可以在很大程度上增加有效透光区域，从而增大像素的开口率；但是，如果直接将钝化层过孔设置在栅线之上，栅线和源电极以及像素电极之间形成的电容C_gs的大小为200fF-500fF，则跳变电压ΔV_p在2.5V-7.0V之间，由于跳变电压过大，因此会引起图像闪烁或者残像等产品不良。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明的目的在于提供一种钝化层过孔设置在栅线区域之上的阵列基板，用以增加有效透光区域，进而增大像素开口率、提高光透过率、增加分辨率以及加强显示品质；进一步的，本发明还提供了该阵列基板的制备方法以及应用该阵列基板的显示装置。

（二）技术方案

本发明技术方案如下：

一种阵列基板，包括基板、形成在所述基板上的数据线以及栅线，所述数据线以及栅线限定的像素区域内设置有薄膜晶体管以及像素电极，所述薄膜晶体管包括：

与所述栅线连接的栅电极；

设置在所述栅线和栅电极上的栅绝缘层；

设置于所述栅电极对应区域的有源层；

分别设置在所述有源层两侧的漏电极和源电极；

设置在所述栅电极与漏电极和源电极之间的填充层；

设置在所述源电极、漏电极及有源层上的钝化层，所述钝化层对应于栅线的位置，开设有使所述漏电极与像素电极连接的钝化层过孔。

优选的，所述填充层厚度为

优选的，所述填充层为非电介质材料。

优选的，所述填充层由感光树脂发生固化反应形成。

优选的，所述沟道区域呈U型，其开口背离所述数据线。

优选的，所述栅线宽度与所述沟道区域宽度相同。

本发明还提供了一种制备上述阵列基板的方法：

一种阵列基板制备方法，包括步骤：

在所述基板上形成栅线、栅电极以及栅绝缘层；

在所述栅绝缘层形成有源层、漏电极和源电极；

在所述栅电极与漏电极和源电极之间形成填充层；

在所述源电极、漏电极及沟道区域上形成钝化层钝化层过孔；

形成通过钝化层过孔与所述漏电极连接的像素电极。

优选的，包括步骤：

S1.在所述基板上形成栅线、栅电极并在所述栅线以及栅电极上形成覆盖整个基板的栅绝缘层；

S2.在所述栅绝缘层上形成填充层；

S3.在所述栅绝缘层以及填充层上形成有源层、漏电极和源电极；