[发明专利]电容及其形成方法

摘要

一种电容及其形成方法，其中，电容的形成方法包括：在衬底中形成第一沟槽；形成第一介质层，覆盖衬底和第一沟槽侧壁、底部；形成覆盖第一介质层的第一导电层、位于第一导电层侧壁的第一牺牲层；重复形成第一导电层和第一牺牲层的步骤，在第一介质层上依次形成多个第一导电层和第一牺牲层；去除高出半导体衬底上的最底层第一导电层表面的多个第一导电层部分、第一牺牲层部分；去除剩余的多个第一牺牲层部分，形成多个第二沟槽；形成第二介质层、位于第二介质层上的顶部导电层，覆盖中间导电层、填充多个第二沟槽。本发明形成的整个电容的电容量也较大，电容形成方法减少了所使用光刻掩模的数量，明显降低了生产成本。

主权项

一种电容的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成第一沟槽；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底和第一沟槽侧壁、底部；形成覆盖所述第一介质层的第一导电层、位于所述第一沟槽中的第一导电层侧壁的第一牺牲层；重复形成第一导电层和第一牺牲层的步骤，在所述第一介质层上依次形成多个第一导电层和多个第一牺牲层，至填充满第一沟槽为止；去除高出所述半导体衬底上的最底层第一导电层表面的多个第一导电层部分、多个第一牺牲层部分，剩余的多个第一导电层部分和所述最底层第一导电层构成中间导电层；去除剩余的多个第一牺牲层部分，形成多个第二沟槽；形成第二介质层、位于所述第二介质层上的顶部导电层，所述第二介质层、顶部导电层覆盖所述中间导电层、填充所述多个第二沟槽。