[发明专利]电容及其形成方法

权利要求书

1.一种电容的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成第一沟槽；

形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底和第一沟槽侧壁、底部；

形成覆盖所述第一介质层的第一导电层、位于所述第一沟槽中的第一导电层侧壁的第一牺牲层；

重复形成第一导电层和第一牺牲层的步骤，在所述第一介质层上依次形成多个第一导电层和多个第一牺牲层，至填充满第一沟槽为止；

去除高出所述半导体衬底上的最底层第一导电层表面的多个第一导电层部分、多个第一牺牲层部分，剩余的多个第一导电层部分和所述最底层第一导电层构成中间导电层；

去除剩余的多个第一牺牲层部分，形成多个第二沟槽；

形成第二介质层、位于所述第二介质层上的顶部导电层，所述第二介质层、顶部导电层覆盖所述中间导电层、填充所述多个第二沟槽。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成第一沟槽后，形成第一介质层前，对半导体衬底和第一沟槽侧壁、底部进行离子注入，形成阱区。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述离子注入的类型为N型离子。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述中间导电层、顶部导电层的材料均为掺杂多晶硅。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽的深宽比范围为3：1～10：1。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述第一介质层的第一导电层、位于所述第一沟槽中的第一导电层侧壁的第一牺牲层的方法，包括：

沉积导电材料、牺牲层材料，覆盖所述第一介质层，沉积后的导电材料为第一导电层；

回刻蚀去除所述半导体衬底上的牺牲层材料、第一沟槽底部的牺牲层材料，剩余第一沟槽侧壁的牺牲层材料为所述第一牺牲层。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料为氧化硅。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除剩余的多个第一牺牲层部分的方法为湿法刻蚀法。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀法中使用的腐蚀剂为氢氟酸溶液。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除高出所述半导体衬底上的最底层第一导电层表面的多个第一导电层部分、多个第一牺牲层部分的方法，包括化学机械研磨法或回刻蚀法。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：

在形成第二介质层和顶部导电层后，图形化所述顶部导电层，形成暴露中间导电层的第一开口；

形成第一开口后，图形化所述顶部导电层、第二介质层、中间导电层、第一介质层，形成暴露半导体衬底的第二开口；

形成层间介质层，所述层间介质层覆盖顶部导电层、填充第一开口和第二开口；

在所述层间介质层中形成连接第一开口的中间导电层的第一通孔、连接第二开口的衬底的第二通孔、暴露部分顶部导电层的第三通孔；

在所述第一通孔、第二通孔和第三接通孔中填充导电物质，形成第一插塞、第二插塞和第三插塞。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，在形成第二开口后，形成层间介质层之前，在第一开口侧壁、第二开口侧壁形成侧墙。

13.一种电容，其特征在于，包括：

位于半导体衬底中的第一沟槽；

位于所述衬底上和第一沟槽的底部、侧壁的第一介质层；

覆盖所述第一介质层的第一导电层；

位于所述第一沟槽中、在垂直于所述半导体衬底表面方向上、在所述第一介质层上依次排列的多个第一导电层，相邻的两个第一导电层侧壁之间为第二沟槽，共有多个第二沟槽，其中，所述第一沟槽中的多个第一导电层上表面均与衬底上的第一导电层上表面持平，所有第一导电层构成中间导电层；

位于所述中间导电层上表面和第二沟槽底部、侧壁的第二介质层；

覆盖所述第二介质层的顶部导电层，且顶部导电层填充满所述第二沟槽。

14.如权利要求13所述的电容，其特征在于，在所述衬底和第一沟槽侧壁、底部形成有阱区。

15.如权利要求14所述的电容，其特征在于，所述阱区为N阱区。