[发明专利]半导体封装及其形成方法有效
申请号: | 201310088571.0 | 申请日: | 2013-03-19 |
公开(公告)号: | CN103325690A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 爱德华·菲尔古特;哈利勒·哈希尼;约阿希姆·马勒 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/522 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;李静 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体封装及其形成方法。在一个实施例中,一种形成半导体封装的方法包括:将第一裸片和第二裸片设置在载体上方。用封装材料覆盖第一裸片和第二裸片中的至少一者,以形成具有顶表面和相对的底表面的封装件。使封装件从底表面开始薄化,以露出第一裸片的第一表面而不露出第二裸片。选择性地蚀刻第一裸片的露出的第一表面,以露出第一裸片的第二表面。形成背面导电层,以接触第一表面。通过封装件的第一部分使第二裸片与背面导电层分离。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种形成半导体封装的方法,所述方法包括:将第一裸片和第二裸片设置在载体上方,所述第一裸片为与所述第二裸片不同类型的裸片;用封装材料覆盖所述第一裸片和所述第二裸片中的至少一者,以形成具有顶表面和相对的底表面的封装件;使所述封装件从所述底表面开始薄化,以露出所述第一裸片的第一表面而不露出所述第二裸片;以及形成接触所述第一裸片的背面导电层,其中,通过所述封装件的第一部分使所述第二裸片与所述背面导电层分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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