[发明专利]半导体封装及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201310088571.0 申请日: 2013-03-19
公开(公告)号: CN103325690A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 爱德华·菲尔古特;哈利勒·哈希尼;约阿希姆·马勒 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/522
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;李静
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明公开了一种半导体封装及其形成方法。在一个实施例中,一种形成半导体封装的方法包括:将第一裸片和第二裸片设置在载体上方。用封装材料覆盖第一裸片和第二裸片中的至少一者,以形成具有顶表面和相对的底表面的封装件。使封装件从底表面开始薄化,以露出第一裸片的第一表面而不露出第二裸片。选择性地蚀刻第一裸片的露出的第一表面,以露出第一裸片的第二表面。形成背面导电层,以接触第一表面。通过封装件的第一部分使第二裸片与背面导电层分离。
搜索关键词: 半导体 封装 及其 形成 方法
【主权项】:
一种形成半导体封装的方法,所述方法包括:将第一裸片和第二裸片设置在载体上方,所述第一裸片为与所述第二裸片不同类型的裸片;用封装材料覆盖所述第一裸片和所述第二裸片中的至少一者,以形成具有顶表面和相对的底表面的封装件;使所述封装件从所述底表面开始薄化,以露出所述第一裸片的第一表面而不露出所述第二裸片;以及形成接触所述第一裸片的背面导电层,其中,通过所述封装件的第一部分使所述第二裸片与所述背面导电层分离。
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