[发明专利]半导体封装及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体封装的方法，所述方法包括：

将第一裸片和第二裸片设置在载体上方，所述第一裸片为与所述第二裸片不同类型的裸片；

用封装材料覆盖所述第一裸片和所述第二裸片中的至少一者，以形成具有顶表面和相对的底表面的封装件；

使所述封装件从所述底表面开始薄化，以露出所述第一裸片的第一表面而不露出所述第二裸片；以及

形成接触所述第一裸片的背面导电层，其中，通过所述封装件的第一部分使所述第二裸片与所述背面导电层分离。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在使所述封装件薄化之后，选择性地蚀刻所述第一裸片的露出的第一表面，以露出所述第一裸片的第二表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述封装件在所述薄化之前的厚度至少为500μm，并且其中，所述封装件在所述薄化之后的厚度为大约10μm到大约200μm。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将所述封装件与所述载体分离，以露出所述底表面。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在用所述封装材料覆盖所述第一裸片和所述第二裸片之前，将支柱设置在所述载体上方；

在使所述封装件薄化之后，通过去除所述支柱而形成贯通开口；以及

填充所述贯通开口，以形成通孔。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，将所述支柱设置在所述第一裸片与所述第二裸片之间。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述贯通开口包括进行蚀刻工艺，所述蚀刻工艺通过穿过所述第一裸片的露出的第一表面进行蚀刻以露出所述第一裸片的第二表面而使所述第一裸片薄化。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述支柱为硅材料。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述顶表面上方形成正面重新分布层。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在用所述封装材料覆盖所述第一裸片和所述第二裸片之前，将无源器件设置在所述载体上方。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述无源器件具有的竖直高度小于所述第一裸片的竖直高度，使得在所述封装件的所述薄化之后所述无源器件的底表面仍被所述封装件的第二部分覆盖。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述无源器件具有的竖直高度大于所述第二裸片的竖直高度，使得在所述封装件的所述薄化之后露出所述无源器件的底表面，其中，形成所述背面导电层进一步包括：接触所述无源器件的所述底表面。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一裸片为分立式竖直场效应晶体管，并且其中，所述第二裸片为集成电路芯片。

14.一种形成半导体封装的方法，所述方法包括：

将第一裸片和第二裸片设置在载体上方；

将与所述第一裸片和所述第二裸片相邻的半导体支柱设置在所述载体上方；

用封装材料覆盖所述第一裸片和所述第二裸片以及所述半导体支柱，以形成具有顶表面和相对的底表面的封装件；

将所述封装件与所述载体分离，以露出所述底表面；

使所述封装件从所述底表面开始薄化，以露出所述第一裸片的第一表面和所述半导体支柱的第二表面而不露出所述第二裸片，其中，所述第一裸片具有的竖直高度大于所述第二裸片，使得所述薄化露出所述第一表面而不露出所述第二裸片；

去除所述半导体支柱，以形成贯通开口；以及

形成接触所述第一裸片且位于所述贯通开口内的背面导电层，其中，通过所述封装件的第一部分使所述第二裸片与所述背面导电层分离。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述去除所述半导体支柱包括：执行选择性蚀刻工艺，以从所述第一裸片的所述第一表面去除所述第一裸片的一部分和所述半导体支柱而不蚀刻所述封装件。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述半导体支柱为单晶硅材料。

17.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：在所述顶表面上方形成正面重新分布层。