[发明专利]半导体结构

摘要

本发明是有关一种半导体结构，包括一栅极、一氧化物通道层、一栅绝缘层、一源极、一漏极以及一介电堆叠层。栅极配置于一基板上。氧化物通道层与栅极彼此上下堆叠。栅绝缘层配置于栅极与氧化物通道层之间。源极与漏极配置于氧化物通道层的一侧且彼此平行配置。氧化物通道层的一部分暴露于源极与漏极之间。介电堆叠层配置于基板上，且包括多层具有一第一折射率的第一无机介电层以及多层具有一第二折射率的第二无机介电层。第一及第二无机介电层交替堆叠。至少一第一无机介电层直接覆盖源极、漏极与氧化物通道层的部分。第一折射率小于第二折射率。

主权项

一种半导体结构，其特征在于包括：一栅极，配置于一基板上；一氧化物通道层，配置于该基板上，且堆叠于该栅极上；一栅绝缘层，配置于该栅极与该氧化物通道层之间；一源极，配置于该氧化物通道层的一侧；一漏极，配置于该氧化物通道层的该侧，且该源极与该漏极彼此平行配置，其中该氧化物通道层的一部分暴露于该源极与该漏极之间；以及一介电堆叠层，配置于该基板上，且包括多层具有一第一折射率的第一无机介电层以及多层具有一第二折射率的第二无机介电层，其中上述第一无机介电层与上述第二无机介电层交替堆叠，且至少一该第一无机介电层直接覆盖该源极、该漏极与该氧化物通道层的该部分，而该第一折射率小于该第二折射率。