[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于包括：

一栅极，配置于一基板上；

一氧化物通道层，配置于该基板上，且堆叠于该栅极上；

一栅绝缘层，配置于该栅极与该氧化物通道层之间；

一源极，配置于该氧化物通道层的一侧；

一漏极，配置于该氧化物通道层的该侧，且该源极与该漏极彼此平行配置，其中该氧化物通道层的一部分暴露于该源极与该漏极之间；以及

一介电堆叠层，配置于该基板上，且包括多层具有一第一折射率的第一无机介电层以及多层具有一第二折射率的第二无机介电层，其中上述第一无机介电层与上述第二无机介电层交替堆叠，且至少一该第一无机介电层直接覆盖该源极、该漏极与该氧化物通道层的该部分，而该第一折射率小于该第二折射率。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中各该第一无机介电层包括一氧化硅层。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于其中该第一折射率介于1.535至1.56之间。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中各该第二无机介电层包括一氮化硅层。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于其中该第二折射率介于1.98至2.08之间。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该介电堆叠层更包括多层具有一第三折射率的第三无机介电层，上述第一无机介电层、上述第二无机介电层以及上述第三无机介电层交替配置。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于其中各该第三无机介电层包括一氮氧化硅层。

8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于其中该第三折射率介于1.6至1.64之间。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中上述第一无机介电层与上述第二无机介电层的堆叠层数至少为五层。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该第一无机介电层的厚度介于55纳米至85纳米之间。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该第二无机介电层的厚度介于55纳米至85纳米之间。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该氧化物通道层的材质包括氧化铟镓锌、氧化锌或氧化铟锌。

13.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于更包括一透明导电层，配置于该介电堆叠层上，其中该介电堆叠层具有一接触开口，该透明导电层通过该接触开口与该漏极电性连接。