[发明专利]埋入式电阻在审
| 申请号： | 201310082552.7 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN104051614A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 洪庆文;黄志森;曹博昭 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种埋入式电阻，其包含有一第一层间介电层、一盖层、一电阻层以及一盖膜。第一层间介电层位于一基底上。盖层位于第一层间介电层上，其中盖层具有一沟槽。电阻层顺应覆盖沟槽，因而具有一U型的剖面结构。盖膜位于沟槽中以及电阻层上；或者，一种埋入式电阻，包含有一第一层间介电层、一盖层以及一块状电阻层。第一层间介电层位于一基底上。盖层位于第一层间介电层上，其中盖层具有一沟槽。块状电阻层位于沟槽中。 | ||
| 搜索关键词： | 埋入 电阻 | ||
【主权项】：
一种埋入式电阻，包含有：第一层间介电层，位于一基底上；盖层，位于该第一层间介电层上，其中该盖层具有一沟槽；电阻层，顺应覆盖该沟槽，因而具有一U型的剖面结构；以及盖膜，位于该沟槽中以及该电阻层上。
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