[发明专利]具有非对称晶体管的静态随机访问存储器及其控制方法有效
| 申请号： | 201310076418.6 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN103489914A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 沃尔堪·库尔散;沙伊尔弗·穆罕默德·萨拉赫丁;焦海龙 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;刘铮 |
| 地址： | 中国香*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本申请公开了非对称晶体管、采用所述非对称晶体管的静态随机访问存储器，以及所述静态随机访问存储器的控制方法。所述非对称晶体管包括：位于晶体管第一端的第一掺杂区和位于晶体管第二端的第二掺杂区，第二端沿着第一方向与第一端相对；位于第一掺杂区和第二掺杂区之间的沟道区；以及设置于沟道区上的栅极。其中，第一掺杂区和第二掺杂区掺杂有第一类型杂质，晶体管从第一端到第二端的导通电流与从第二端到第一端的导通电流大小不同。根据本申请的装置和方法，在数据存取过程中，数据读取稳定性增强、数据写入能力提高并且漏电功耗减少。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对称 晶体管 静态 随机 访问 存储器 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种非对称晶体管，包括：位于所述晶体管第一端的第一掺杂区和位于所述晶体管第二端的第二掺杂区，所述第二端沿着第一方向与所述第一端相对；位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的沟道区；以及设置于所述沟道区上的栅极，其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区掺杂有第一类型杂质，所述晶体管从所述第一端到所述第二端的导通电流与从所述第二端到所述第一端的导通电流大小不同。
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