[发明专利]具有非对称晶体管的静态随机访问存储器及其控制方法

权利要求书

1.一种非对称晶体管，包括：

位于所述晶体管第一端的第一掺杂区和位于所述晶体管第二端的第二掺杂区，所述第二端沿着第一方向与所述第一端相对；

位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的沟道区；以及

设置于所述沟道区上的栅极，

其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区掺杂有第一类型杂质，所述晶体管从所述第一端到所述第二端的导通电流与从所述第二端到所述第一端的导通电流大小不同。

2.如权利要求1所述的非对称晶体管，其中所述栅极和所述沟道区被设置为在所述沟道区两侧形成非对称的栅极负重叠，其中靠近所述第一端的栅极负重叠长度小于靠近所述第二端的栅极负重叠长度。

3.如前述任意一项权利要求所述的非对称晶体管，其中所述栅极沿着所述第一方向包括功函数不同的第一部分和第二部分，所述第一部分靠近所述第一端，所述第二部分靠近所述第二端，所述第二部分的栅极功函数高于所述第一部分的栅极功函数。

4.如前述任意一项权利要求所述的非对称晶体管，其中所述第二掺杂区还掺杂有第二类型杂质，从而在所述沟道区与所述第二掺杂区之间形成掺杂有第二类型杂质的额外掺杂区。

5.如权利要求4所述的非对称晶体管，其中所述第二类型杂质的掺杂浓度小于所述第一类型杂质的掺杂浓度。

6.如权利要求4所述的非对称晶体管，其中所述第二类型杂质的掺杂梯度小于所述第一类型杂质的掺杂梯度。

7.如权利要求4所述的非对称晶体管，其中所述第一类型杂质为n型、所述第二类型杂质为p型。

8.如权利要求4所述的非对称晶体管，其中所述第一类型杂质为p型、所述第二类型杂质为n型。

9.如前述任意一项权利要求所述的非对称晶体管，其中所述第二掺杂区沿着所述第一方向包括掺杂浓度不同的第一子掺杂区和第二子掺杂区，其中所述第一子掺杂区靠近所述栅极，所述第二子掺杂区远离所述栅极。

10.如权利要求9所述的非对称晶体管，其中所述第二掺杂区的所述第一子掺杂区掺杂浓度低于所述第二掺杂区的所述第二子掺杂区掺杂浓度。

11.如权利要求9所述的非对称晶体管，其中所述第一掺杂区沿着所述第一方向包括掺杂浓度不同的第一子掺杂区和第二子掺杂区，其中所述第一掺杂区的所述第一子掺杂区靠近所述栅极，所述第一掺杂区的所述第二子掺杂区远离所述栅极。

12.如权利要求11所述的非对称晶体管，其中所述第一掺杂区的所述第一子掺杂区掺杂浓度低于所述第一掺杂区的所述第二子掺杂区掺杂浓度，以及所述第二掺杂区的所述第一子掺杂区掺杂浓度低于所述第二掺杂区的所述第二子掺杂区掺杂浓度。

13.如权利要求11所述的非对称晶体管，其中所述第二掺杂区的所述第一子掺杂区的掺杂区域长度大于所述第一掺杂区的所述第一子掺杂区的掺杂区域长度。

14.如权利要求1-13中任意一项所述的非对称晶体管，其中所述晶体管为FinFET晶体管。

15.如权利要求1-13中任意一项所述的非对称晶体管，其中所述晶体管为单栅极晶体管、互连型双栅极晶体管、分立型双栅极晶体管、三栅极晶体管或环绕栅极晶体管。

16.一种静态随机访问存储器，包括用于读写数据的第一位线和第二位线，以及至少一个静态随机访问存储器单元，所述静态随机访问存储器单元包括：

反相器组，连接于供电网络与地线之间；

第一位线访问器件，连接于所述第一位线与所述反相器组的第一端口之间，用于控制所述第一位线与所述第一端口之间的断开和连接，以及

第二位线访问器件，连接于所述第二位线与所述反相器组的第二端口之间，用于控制所述第二位线与所述第二端口之间的断开和连接，

其中所述第一位线访问器件和/或所述第二位线访问器件采用权利要求1-15中任意一项所述的非对称晶体管。

17.如权利要求16所述的静态随机访问存储器，其中所述反相器组包括第一和第二上拉器件、以及第一和第二下拉器件，所述上拉器件和下拉器件构成两个交叉耦合的反相器。