[发明专利]半导体发光元件无效
| 申请号： | 201310075837.8 | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103137821A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 村本卫司;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘薇;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 能够提供具备欧姆性和透过性尽可能良好的p电极的半导体发光元件。该半导体发光元件具备：基板；在基板上设置的n型半导体层；在n型半导体层的第1区域上设置的发光的活性层；在活性层上设置的p型半导体层；在p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原子%的第1导电性氧化物层的p电极；以及在n型半导体层的第2区域上设置的n电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，包括：n型半导体层；p型半导体层；在上述n型半导体层与上述p型半导体层之间形成的发光的活性层；p电极，其与上述p型半导体层接触，并包括氧含有率小于40原子%的第1导电性氧化物层和与上述第1导电性氧化物层接触且氧含有率比上述第1导电性氧化物层高的第2导电性氧化物层；以及与上述n型半导体层电连接的n电极。
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