[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，包括：

n型半导体层；

p型半导体层；

在上述n型半导体层与上述p型半导体层之间形成的发光的活性层；

p电极，其与上述p型半导体层接触，并包括氧含有率小于40原子%的第1导电性氧化物层和与上述第1导电性氧化物层接触且氧含有率比上述第1导电性氧化物层高的第2导电性氧化物层；以及

与上述n型半导体层电连接的n电极。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述第1导电性氧化物层至少包含一个从In、Zn、Sn、Ni、Mg、Cu、Au、Pd、Rh、Ga的组中选择的元素。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述第1导电性氧化物层的接触电阻小于1×10^-2Ω·cm²。

4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述第1导电性氧化物层的膜厚度在10nm以上且100nm以下。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述第2导电性氧化物层的透过率比上述第1导电性氧化物层的透过率高。

6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，还包括：基板，在其上形成有上述n型半导体层，其中，上述基板是蓝宝石基板或者半导体基板。

7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述第1导电性氧化物层的膜厚度在30nm以上。

8.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述第1导电性氧化物层的膜厚度在30nm以上且50nm以下。

9.一种半导体发光元件，包括：

n型半导体层；

在上述n型半导体层上形成的发光的活性层；

在上述活性层上形成的p型半导体层；

p电极，其在上述p型半导体层上形成，并包括氧含有率小于40原子%的第1导电性氧化物层和在上述第1导电性氧化物层上形成的且氧含有率比上述第1导电性氧化物层高的第2导电性氧化物层；以及

在与上述n型半导体层相反一侧的面形成的n电极。

10.根据权利要求9所述的半导体发光元件，其中，上述第1导电性氧化物层至少包含一个从In、Zn、Sn、Ni、Mg、Cu、Au、Pd、Rh、Ga的组中选择的元素。

11.根据权利要求9所述的半导体发光元件，其中，上述第1导电性氧化物层的接触电阻小于1×10^-2Ω·cm²。

12.根据权利要求9所述的半导体发光元件，其中，上述第1导电性氧化物层的膜厚度在10nm以上且100nm以下。

13.根据权利要求9所述的半导体发光元件，其中，上述第2导电性氧化物层的透过率比上述第1导电性氧化物层的透过率高。

14.根据权利要求9所述的半导体发光元件，还包括：基板，在其上形成有上述n型半导体层，其中，上述基板是半导体基板。

15.根据权利要求9所述的半导体发光元件，其中，上述第1导电性氧化物层的膜厚度在30nm以上。

16.根据权利要求9所述的半导体发光元件，其中，上述第1导电性氧化物层的膜厚度在30nm以上且50nm以下。