[发明专利]半导体发光元件

说明书

本申请是申请日为2009年12月2日的中国专利申请200980152400.1“半导体发光元件”的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体发光元件。

背景技术

一般地，作为半导体发光元件，已知的构造为在基板上层叠成为接触层的n型半导体层、n型熔覆层、活性层、p型熔覆层和成为接触层的p型半导体层，并相对于成为接触层的n型半导体层和p型半导体层，分别形成成为欧姆电极的n电极和p电极。在这样的半导体发光元件中，当从p型半导体层一侧取出光时，作为p电极，一般采用具有高透过率的ITO（铟锡氧化物）。但是，该ITO由于低的欧姆性，因此，仅仅用ITO难以制作特性好的器件。因此，为了具备良好的接触特性、透过性，提出了在ITO和接触层之间设置由In、Sn以外的金属构成的金属氧化物层（例如，参照特开2001-196633号公报）。

但是，在上述特开2001-196633号公报中，由于夹着金属氧化物层的区域而存在ITO，因此，实际上不能发挥ITO本来的透过率。此外，由于采用ITO以外的金属的氧化物，因此，蚀刻条件与ITO不同，存在加工过程复杂的问题。

发明内容

本发明正是考虑上述问题而提出的，其目的在于提供具备欧姆性和透过性尽可能好的p电极的半导体发光元件。

根据本发明的第1方式的半导体发光元件，其特征在于，具备：基板；在上述基板上设置的n型半导体层；在上述n型半导体层的第1区域上设置的发光的活性层；在上述活性层上设置的p型半导体层；在上述p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原子%的第1导电性氧化物层的p电极；以及在上述n型半导体层的第2区域上设置的n电极。

此外，根据本发明的第2方式的半导体发光元件，其特征在于，具备：基板；在上述基板上设置的n型半导体层；在上述n型半导体层上设置的发光的活性层；在上述活性层上设置的p型半导体层；在上述p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原子%的第1导电性氧化物层的p电极；以及在上述基板的与上述n型半导体层相反一侧的面设置的n电极。

附图说明

图1是根据本发明的第1实施方式的半导体发光元件的截面图。

图2是表示用于说明第1实施方式的半导体发光元件的效果的仿真结果的图。

图3（a）至图3（c）是表示用于说明第1实施方式的半导体发光元件的效果的仿真结果的图。

图4是绘制图2所示的仿真结果的曲线图。

图5是表示用于说明第1实施方式的半导体发光元件的效果的仿真结果的图。

图6是表示第1实施方式的半导体发光元件的电极的形状的一个具体例子的图。

图7是表示第1实施方式的半导体发光元件的电极的形状的另一个具体例子的图。

图8是根据第1实施方式的变形例的半导体发光元件的截面图。

图9是根据第2实施方式的半导体发光元件的截面图。

具体实施方式

以下参照附图说明本发明的实施方式。

第1实施方式

在图1中示出根据本发明的第1实施方式的半导体发光元件的截面。本实施方式的半导体发光元件如下制造。

首先，如图1所示，在蓝宝石基板2上通过MOCVD（金属有机化学汽相淀积）法或者MBE（分子束外延）法等形成不掺杂的GaN缓冲层（未图示）之后，在该缓冲层上形成n型GaN层4。在此，蓝宝石基板2如图1所示，为了提高光取出效率，可以采用在表面形成凹凸的加工基板，也可以采用在表面未形成凹凸的平坦基板。

接着，在n型GaN层4上通过MOCVD、MBE法等形成由InGaN构成的活性层6。由InGaN构成的活性层6具有单量子阱（SQW）构造或多量子阱（MQW）构造。进一步地，在由InGaN构成的活性层6上，通过MOCVD法等按顺序地形成未图示的由p型AlGaN构成的熔覆层和p型GaN层8。通过将这样制成的基板用RTA（快速退火）炉等进行热处理，促进p型GaN层8的p型杂质的活性。

接着，在p型GaN层8的表面上形成透明的p电极10。该透明的p电极10的详细形成方法在后面描述。在p电极10形成之后，使用光刻技术和RIE（反应离子蚀刻）法等蚀刻技术，如图1所示，除去p电极10、p型GaN层8、由p型AlGaN构成的熔覆层（未图示）以及由InGaN构成的活性层6的层叠膜的一部分，在底面使GaN层4的表面露出，同时除去该露出的n型GaN层4的一部分。作为该除去方法，并不限于RIE法，也可以通过湿蚀刻进行。