[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201310070471.5 | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103681626A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 崎山阳子;森塚宏平 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件，具备多个第1平板，该第1平板包含吸收高频电磁波的材料。第1平板之中的任一个配置在第1连接布线及第2连接布线的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具备：绝缘基板；第1电极，设在上述绝缘基板上；第2电极，设在上述绝缘基板上；第3电极，设在上述绝缘基板上；第1开关元件，设在上述第1电极上，一个端子电连接到上述第1电极；第1连接布线，将上述第1开关元件的另一个端子电连接到上述第3电极；第2开关元件，设在上述第2电极上，一个端子电连接到上述第2电极；第2连接布线，以上述第2开关元件与上述第1开关元件并联连接的方式，将上述第2开关元件的另一个端子电连接到上述第3电极，；第1栅极布线，与上述第1开关元件的栅极电连接；第2栅极布线，与上述第2开关元件的栅极电连接；第3连接布线，与上述第1电极及上述第2电极电连接；第4连接布线，与上述第3电极电连接；及多个第1平板，包含吸收高频电磁波的材料；上述第1平板之中的任一个配置在上述第1连接布线及上述第2连接布线的上方。
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