[发明专利]半导体器件

说明书

关联申请

本申请基于2012年9月20日提交的在先日本专利申请第2012-206800号，并要求其优先权，在此作为参照并入其全部内容。

技术领域

本发明涉及半导体器件。

背景技术

以前，在半导体器件中，有并联连接了多个半导体元件的半导体器件。在该现有的半导体器件中，例如，在模块栅极布线的分支点和各IGBT元件的栅极焊盘之间的布线中插入铁氧体磁芯。

发明内容

本发明提供能降低EMI（Electro Magnetic Interference）噪声的半导体器件。

实施方式的半导体器件具备绝缘基板。半导体器件具备设在上述绝缘基板上、且具有平板状的形状的第1电极。半导体器件具备设在上述绝缘基板上、且具有平板状的形状的第2电极。半导体器件具备设在上述绝缘基板上、且具有平板状的形状的第3电极。半导体器件具备设在上述第1电极上、且发射极或集电极的任一方电连接到上述第1电极上的第1开关元件。半导体器件具备将上述第1开关元件的发射极或集电极的余下的另一方电连接到上述第3电极上的第1连接布线。半导体器件具备设在上述第2电极上、且发射极或集电极的任一方电连接到上述第2电极上的第2开关元件。半导体器件具备以上述第2开关元件与上述第1开关元件并联连接的方式，将上述第2开关元件的发射极或集电极的余下的另一方电连接到上述第3电极上的第2连接布线。半导体器件具备电连接到上述第1开关元件的栅极上的第1栅极布线。半导体器件具备电连接到上述第2开关元件的栅极上的第2栅极布线。半导体器件具备与上述第1电极及上述第2电极电连接的第3连接布线。半导体器件具备与上述第3电极电连接的第4连接布线。半导体器件具备包含吸收高频电磁波的材料的多个第1平板。半导体器件具备密封树脂，该密封树脂在上述散热板上至少对上述绝缘基板、上述第1至第3电极、上述第1及第2开关元件、上述第1及第2栅极布线、上述第1至第4连接及上述第1平板进行密封。

上述第1平板之中的任一个配置在上述第1连接布线及上述第2连接布线的上方。

根据本发明的实施方式，提供能降低EMI噪声的半导体器件。

附图说明

图1是示出第1实施方式涉及的半导体器件100的构成的一个例子的平面图。

图2是示出沿着图1的X－X线的半导体器件100的截面的一个例子的截面图。

图3是示出图1所示的半导体器件100的电路构成的一个例子的电路图。

具体实施方式

以下，根据附图对实施方式进行说明。并且，在实施方式中，对选择了IGBT元件作为开关元件的一个例子的情况进行说明，但也可以是MOS晶体管等其它电压控制型的开关元件。

（第1实施方式）

图1是示出第1实施方式涉及的半导体器件100的构成的一个例子的平面图。而且，图2是示出沿着图1的X－X线的半导体器件100的截面的一个例子的截面图。而且，图3是示出图1所示的半导体器件100的电路构成的一个例子的电路图。

如图1～图3所示，半导体器件100具备散热板1、框体2、导电性膜3、绝缘基板4、密封树脂5、第1电极PE1、第2电极PE2、第3电极PE3、第1IGBT元件（第1开关元件）T1、第2IGBT元件（第2开关元件）T2、第1连接布线CL1、第2连接布线CL2、第3连接布线CL3、第4连接布线CL4、第5连接布线CL5、第6连接布线CL6、第1栅极布线GL1、第2栅极布线GL2、第1二极管D1、第2二极管D2、多个第1平板S1、多个第2平板S2、布线基板LS、第1外部端子（栅极端子）GT、第2外部端子（集电极端子）CT、第3外部端子（发射极端子）ET、第4外部端子（发射极感应端子）EST。

框体2在散热板1上设置成包围密封树脂5，由树脂材料构成。

密封树脂5在散热板1上，至少对绝缘基板4、第1到第3电极PE1～PE3、第1及第2IGBT元件T1、T2、第1及第2二极管D1、D2、第1及第2栅极布线GL1、GL2、布线基板LS、第1到第6连接布线CL1～CL6、及第1平板S1进行密封。

第1外部端子GT设置成从密封树脂5露出（图1、图2）。该第1外部端子GT经由布线基板LS与第1栅极布线GL1及第2栅极布线GL2（第1、第2IGBT元件T1、T2的栅极）电连接（图2、图3）。