[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：

绝缘基板；

第1电极，设在上述绝缘基板上；

第2电极，设在上述绝缘基板上；

第3电极，设在上述绝缘基板上；

第1开关元件，设在上述第1电极上，一个端子电连接到上述第1电极；

第1连接布线，将上述第1开关元件的另一个端子电连接到上述第3电极；

第2开关元件，设在上述第2电极上，一个端子电连接到上述第2电极；

第2连接布线，以上述第2开关元件与上述第1开关元件并联连接的方式，将上述第2开关元件的另一个端子电连接到上述第3电极，；

第1栅极布线，与上述第1开关元件的栅极电连接；

第2栅极布线，与上述第2开关元件的栅极电连接；

第3连接布线，与上述第1电极及上述第2电极电连接；

第4连接布线，与上述第3电极电连接；及

多个第1平板，包含吸收高频电磁波的材料；

上述第1平板之中的任一个配置在上述第1连接布线及上述第2连接布线的上方。

2.根据权利要求1所记载的半导体器件，其特征在于，

上述第1平板之中的任一个配置在上述第1电极及上述第2电极的上方。

3.根据权利要求1所记载的半导体器件，其特征在于，

还具备布线基板，在上述绝缘基板的上方间隔着上述第1及第2电极设置，与上述第1栅极布线及上述第2栅极布线电连接；

上述第1平板之中的任一个配置在上述绝缘基板和上述布线基板之间。

4.根据权利要求3所记载的半导体器件，其特征在于，

还具备多个第2平板，该第2平板包含吸收高频电磁波的材料；

上述第2平板配置在上述布线基板上。

5.根据权利要求1所记载的半导体器件，其特征在于，

上述第1平板之中的任一个配置在上述第1开关元件及上述第2开关元件的至少任一个之上。

6.根据权利要求1所记载的半导体器件，其特征在于，

上述第1连接布线及上述第2连接布线是接合引线。

7.根据权利要求1所记载的半导体器件，其特征在于，

上述材料是铁氧体或坡莫合金。

8.根据权利要求1所记载的半导体器件，其特征在于，

上述第1开关元件是第1IGBT元件，该第1IGBT元件的发射极或集电极的任一方电连接到上述第1电极，发射极或集电极的余下的另一方经由上述第1连接布线电连接到上述第3电极；

上述第2开关元件是第2IGBT元件，该第2IGBT元件设在上述第2电极上，发射极或集电极的任一方电连接到上述第2电极，发射极或集电极的余下的另一方经由上述第2连接布线电连接到上述第3电极以使得与上述第1开关元件并联连接。

9.根据权利要求2所记载的半导体器件，其特征在于，

上述第1开关元件是第1IGBT元件，该第1IGBT元件的发射极或集电极的任一方电连接到上述第1电极，发射极或集电极的余下的另一方经由上述第1连接布线电连接到上述第3电极；

上述第2开关元件是第2IGBT元件，该第2IGBT元件设在上述第2电极上，发射极或集电极的任一方电连接到上述第2电极，发射极或集电极的余下的另一方经由上述第2连接布线电连接到上述第3电极以使得与上述第1开关元件并联连接。

10.根据权利要求8所记载的半导体器件，其特征在于，还具备：

第1二极管，正极连接到上述第1IGBT元件的发射极，负极连接到上述第1IGBT元件的集电极，以使得与上述第1IGBT元件并联连接；及

第2二极管，正极连接到上述第2IGBT元件的发射极，负极连接到上述第2IGBT元件的集电极，以使得与上述第2IGBT元件并联连接。

11.根据权利要求9所记载的半导体器件，其特征在于，还具备：

第1二极管，正极连接到上述第1IGBT元件的发射极，负极连接到上述第1IGBT元件的集电极，以使得与上述第1IGBT元件并联连接；及

第2二极管，正极连接到上述第2IGBT元件的发射极，负极连接到上述第2IGBT元件的集电极，以使得与上述第2IGBT元件并联连接。