[发明专利]固体拍摄装置及固体拍摄装置的制造方法有效
| 申请号： | 201310066905.4 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103367372A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 上村昌己;宇家真司;工藤知靖 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘瑞东;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供固体拍摄装置及固体拍摄装置的制造方法，可增加固定电荷层中的电荷量。实施方式的固体拍摄装置具备受光部、第1电荷保持膜、第2电荷保持膜。受光部对入射光进行光电变换。第1电荷保持膜在受光部的入射光入射的面侧形成，保持电荷。第2电荷保持膜的氧含量比第1电荷保持膜高，在第1电荷保持膜的入射光入射的面侧形成，保持电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 拍摄 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种固体拍摄装置，其特征在于，具备：受光部，其对入射光进行光电变换；第1电荷保持膜，其形成于上述受光部的上述入射光入射的面侧，并保持电荷；以及第2电荷保持膜，其氧含量比上述第1电荷保持膜高，形成于上述第1电荷保持膜的上述入射光入射的面侧，并保持电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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