[发明专利]固体拍摄装置及固体拍摄装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明的实施方式涉及固体拍摄装置及固体拍摄装置的制造方法。

背景技术

以往，固体拍摄装置中，检测到与向将入射光光电变换的受光部入射的入射光的有无无关，由存在于受光部的电荷形成电流(以下，称为“暗电流”)，而拍摄了比实际明亮的图像的问题。

因而，在光电变换产生的电荷为负电荷的场合，考虑通过在受光部的顶面侧形成保持负电荷的固定电荷层，来抑制暗电流的产生的固体拍摄装置。该固体拍摄装置中，由固定电荷层中的负电荷吸引的受光部内的正电荷在受光部的顶面部分蓄积。

从而，与入射光的有无无关，在受光部存在的负电荷与在受光部的顶面部分蓄积的正电荷复合(recombination)，因此难以形成暗电流。另外，光电变换产生的电荷为正电荷的场合，通过在受光部的顶面侧形成保持正电荷的固定电荷层，可以抑制暗电流的产生。

但是，为了进一步可靠地抑制暗电流的产生，固定电荷层中的电荷量必须进一步增加。

发明内容

本发明解决的课题是提供可增加固定电荷层中的电荷量的固体拍摄装置及固体拍摄装置的制造方法。

实施方式的固体拍摄装置，其特征在于，具备：受光部，其将对入射光进行光电变换；第1电荷保持膜，其形成于受光部的入射光入射的面侧，并保持电荷；以及第2电荷保持膜，其氧含量比第1电荷保持膜高，形成于第1电荷保持膜的入射光入射的面侧，并保持电荷。

其他实施方式的个体拍摄装置的制造方法，其特征在于，包含：在对入射光进行光电变换的受光部的入射光入射的面侧，形成保持电荷的第1电荷保持膜的工序；和在第1电荷保持膜的入射光入射的面侧，形成氧含量比第1电荷保持膜高并保持电荷的第2电荷保持膜的工序。

根据上述构成的固体拍摄装置及固体拍摄装置的制造方法，可以增加固定电荷层中的电荷量。

附图说明

图1是第1实施方式的CMOS传感器的俯视的说明图。

图2是第1实施方式的CMOS传感器的截面的说明图。

图3A是取代第1实施方式的固定电荷层而设置单层构造的固定电荷层时的截面的说明图。

图3B是第1实施方式的固定电荷层的截面的说明图。

图4是第2实施方式的固定电荷层的截面的说明图。

图5是第2实施方式的固定电荷层的平带电压的说明图。

图6A是第2实施方式的第1电荷保持膜及第3电荷保持膜中的杂质的含量的说明图。

图6B是第2实施方式的第2电荷保持膜中的杂质的含量的说明图。

标号说明：

1 CMOS传感器，2像素部，3逻辑部，4微透镜，5保护层，6反射防止层，7，7a，70固定电荷层，8P型半导体层，9N型半导体层，10布线层，11粘接层，12支撑基板，31定时发生器，32垂直选择电路，33采样电路，34水平选择电路，35增益控制电路，36 A/D变换电路，37输出电路，51遮光膜，71第1电荷保持膜，72，72a第2电荷保持膜，73第3电荷保持膜，91元件分离区域，92受光部，93外围电路区域，101层间绝缘膜，102多层布线，R、G、B 滤色器。

具体实施方式

以下，参照附图，详细说明实施方式的固体拍摄装置及固体拍摄装置的制造方法。另外，以下所示实施方式不限定本发明。

(第1实施方式)

本实施方式中，作为固体拍摄装置的一例，举例说明在将入射光光电变换的受光部中的与入射光入射侧的面相反的面侧形成有布线层的所谓背面照射型CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)图像传感器。

另外，以下中，说明了背面照射型CMOS图像传感器将入射光光电变换为负电荷的情况，但是，实施方式的背面照射型CMOS图像传感器也可以是将入射光光电变换为正电荷的构成。

另外，本实施方式的固体拍摄装置不限于背面照射型CMOS图像传感器，也可以是表面照射型CMOS图像传感器和/或CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合器件)图像传感器等的任意图像传感器。

图1是第1实施方式的背面照射型CMOS图像传感器(以下，称为“CMOS传感器1”)的俯视的说明图。如图1所示，CMOS传感器1具备在半导体基板形成的像素部2和逻辑部3。