[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310063169.7 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103296089A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 河野洋志;四户孝;铃木拓马;西尾让司 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据一个实施例，所述半导体器件包括：第一、第二、第三、第四和第五半导体区，绝缘膜，控制电极以及第一和第二电极。所述第一、第二、第三、第四和第五半导体区包括碳化硅。所述第一半导体区具有第一杂质浓度，并且具有第一部分。在所述第一半导体区上设置所述第二半导体区。在所述第二半导体区上设置第三半导体区。在所述第一部分与所述第二半导体区之间设置所述第四半导体区。在所述第一部分与所述第三半导体区之间设置所述第四半导体区。所述第五半导体区包括设置在所述第一部分与所述第二半导体区之间的第一区，并且具有高于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一半导体区，包括第一导电类型的碳化硅，所述第一半导体区具有第一杂质浓度，所述第一半导体区具有第一部分；第二半导体区，设置在所述第一半导体区上，所述第二半导体区包括第二导电类型的碳化硅；第三半导体区，设置在所述第二半导体区上，所述第三半导体区包括所述第一导电类型的碳化硅；第四半导体区，设置在所述第一部分与所述第二半导体区之间，所述第四半导体区设置在所述第一部分与所述第三半导体区之间，所述第四半导体区包括所述第二导电类型的碳化硅；第五半导体区，包括设置在所述第一部分与所述第二半导体区之间的第一区，所述第五半导体区包括所述第一导电类型的碳化硅，所述第五半导体区具有高于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度；绝缘膜，设置在所述第一半导体区、所述第三半导体区和所述第四半导体区上；控制电极，设置在所述绝缘膜上；第一电极，电连接至所述第三半导体区；以及第二电极，电连接至所述第一半导体区。
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