[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一半导体区，包括第一导电类型的碳化硅，所述第一半导体区具有第一杂质浓度，所述第一半导体区具有第一部分；

第二半导体区，设置在所述第一半导体区上，所述第二半导体区包括第二导电类型的碳化硅；

第三半导体区，设置在所述第二半导体区上，所述第三半导体区包括所述第一导电类型的碳化硅；

第四半导体区，设置在所述第一部分与所述第二半导体区之间，所述第四半导体区设置在所述第一部分与所述第三半导体区之间，所述第四半导体区包括所述第二导电类型的碳化硅；

第五半导体区，包括设置在所述第一部分与所述第二半导体区之间的第一区，所述第五半导体区包括所述第一导电类型的碳化硅，所述第五半导体区具有高于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度；

绝缘膜，设置在所述第一半导体区、所述第三半导体区和所述第四半导体区上；

控制电极，设置在所述绝缘膜上；

第一电极，电连接至所述第三半导体区；以及

第二电极，电连接至所述第一半导体区。

2.根据权利要求1所述的器件，其中：所述第五半导体区包括第二区，所述第二区设置在所述第二半导体区的与所述第三半导体区相对的一侧上，所述第二区连接至所述第一区。

3.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述第二半导体区具有第三杂质浓度，并且

所述第四半导体区具有第四杂质浓度，所述第四杂质浓度等于或低于所述第三杂质浓度。

4.根据权利要求1所述的器件，其中：所述第一区的杂质浓度在远离所述第四半导体区的方向上逐渐增大。

5.根据权利要求1所述的器件，其中：所述第五半导体区在连接所述第三半导体区和所述第一部分的方向上的长度与所述第四半导体区在所述方向上的长度相同。

6.根据权利要求1所述的器件，还包括：衬底，设置在所述第一半导体区与所述第二电极之间，所述衬底包括碳化硅。

7.根据权利要求6所述的器件，其中：所述衬底具有所述第一导电类型的导电类型。

8.根据权利要求6所述的器件，其中：所述衬底具有所述第二导电类型的导电类型。

9.根据权利要求1所述的器件，其中：设置一对所述第二半导体区、一对所述第三半导体区、一对所述第四半导体区以及一对所述第五半导体区，且所述第一部分夹置在所述区之间。

10.根据权利要求9所述的器件，其中：在连接所述第三半导体区与所述第一部分的方向上所述一对第四半导体区之间的间隔短于在所述方向上所述一对第二半导体区之间的间隔。

11.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在第一半导体区的主表面上形成第一膜，所述第一膜包括第一导电类型的碳化硅，所述第一膜具有第一杂质浓度，并且在所述第一膜上形成第一掩模图案；

在所述第一膜和所述第一掩模图案上形成第二膜；

利用借助对所述第二膜的蚀刻而保留在所述第一掩模图案的侧表面上的所述第二膜，形成第二掩模图案；

通过借助所述第二掩模图案向所述第一半导体区注入离子来形成第二半导体区，所述第二半导体区包括第二导电类型的碳化硅；

通过借助所述第二掩模图案向所述第二半导体区注入离子来在所述第二半导体区上形成第三半导体区，所述第三半导体区包括所述第一导电类型的碳化硅；

去除所述第二掩模图案；

如在与所述主表面正交的方向上所观察的，通过借助所述第一掩模图案向所述第一半导体区注入离子来在所述第二半导体区及所述第三半导体区与所述第一掩模图案之间的所述第一半导体区的区域中形成第四半导体区，所述第四半导体区包括所述第二导电类型的碳化硅；以及

通过借助所述第一掩模图案向所述第一半导体区注入离子来在所述第四半导体区的下侧、邻近于所述第二半导体区的第一区中形成第五半导体区，所述第五半导体区包括所述第一导电类型的碳化硅，所述第五半导体区具有高于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：所述第五半导体区的形成包括形成设置在所述第二半导体区与所述第一半导体区之间的第二区，所述第二区连接至所述第一区。