[发明专利]一种提高刻蚀均匀性的装置

摘要

本发明公开了一种提高刻蚀均匀性的装置，所述整流护套设置在刻蚀腔内部，整流护套是一个下部为空心圆柱状支撑结构和上部为套设在支撑结构上的具有一定厚度的耐腐蚀的环形平面结构；整流护套将整个刻蚀腔体反应腔室分为上部的晶圆片刻蚀区和下部的真空排气区；整流护套将等离子体限制在上部晶圆片附近的关键区域，使等离子控制区域减小，均匀性更易控制；在更小的空间里，等离子浓度提高，从而可以得到更快的刻蚀速率；整流护套上均匀设置有若干通孔，使得上部气体被均匀分流后，经过分子泵通过不对称的两个气体排出口被抽走，新型整流护套起到排气的缓冲作用，减小了分子泵抽气对刻蚀均匀性的影响。

主权项

一种提高刻蚀均匀性的装置，应用于刻蚀工艺中，包括一刻蚀腔体，所述刻蚀腔体包括腔体侧壁和阴极衬垫，且所述阴极衬垫的侧壁上固定设置有一缓冲环，其特征在于，所述刻蚀腔体的内部设置有一整流护套，所述整流护套套设在所述阴极衬垫上，并与所述缓冲环固定连接，以将所述刻蚀腔体的反应腔室隔离为上部刻蚀区和下部排气区；所述整流护套上设置有多个通孔，所述上部刻蚀区与所述下部排气区通过所述多个通孔贯通。