[发明专利]一种提高刻蚀均匀性的装置

权利要求书

1.一种提高刻蚀均匀性的装置，应用于刻蚀工艺中，包括一刻蚀腔体，所述刻蚀腔体包括腔体侧壁和阴极衬垫，且所述阴极衬垫的侧壁上固定设置有一缓冲环，其特征在于，

所述刻蚀腔体的内部设置有一整流护套，所述整流护套套设在所述阴极衬垫上，并与所述缓冲环固定连接，以将所述刻蚀腔体的反应腔室隔离为上部刻蚀区和下部排气区；

所述整流护套上设置有多个通孔，所述上部刻蚀区与所述下部排气区通过所述多个通孔贯通。

2.如权利要求1所述的提高刻蚀均匀性的装置，其特征在于，所述整流护套包括环形平面结构和空心圆柱状支撑结构，所述环形平面结构固定套设在所述空心圆柱状支撑结构的外表面的侧壁上。

3.如权利要求2所述的提高刻蚀均匀性的装置，其特征在于，所述空心圆柱状支撑结构套设在所述阴极衬垫的外表面侧壁上，且该空心圆柱状支撑结构的支撑面与所述缓冲环的上表面相接。

4.如权利要求2所述的提高刻蚀均匀性的装置，其特征在于，所述多个通孔均匀设置在所述环形平面结构上。

5.如权利要求2所述的提高刻蚀均匀性的装置，其特征在于，所述环形平面结构的外侧壁紧贴于所述腔体内侧壁上。

6.如权利要求2所述的提高刻蚀均匀性的装置，其特征在于，所述环形平面结构的上表面距离所述刻蚀腔体的底部的高度小于所述阴极衬垫的顶部表面距离所述刻蚀腔体的底部的高度。

7.如权利要求1-6中任意一项所述的提高刻蚀均匀性的装置，其特征在于，所述整流护套的材料为金属或陶瓷。

8.如权利要求7所述的提高刻蚀均匀性的装置，其特征在于，所述整流护套的材料为铝。

9.如权利要求1-6中任意一项所述的提高刻蚀均匀性的装置，其特征在于，所述整流护套的表面上设置有抗腐蚀层，所述抗腐蚀层的材质为氧化铝或三氧化二钇。

10.如权利要求1-6中任意一项所述的提高刻蚀均匀性的装置，其特征在于，所述刻蚀腔体为E-max等离子刻蚀设备中的刻蚀腔体。