[发明专利]一种MOS晶体管的制备方法

摘要

本发明提供一种MOS晶体管的制备方法，制备所述源区和漏区时先采用湿法刻蚀形成V型沟槽，而后在所述V型沟槽内外延生长应力填充层，在所述栅区域附近的应力填充层中形成轻掺杂区域，最后进行离子注入形成源区及漏区。与现有技术中Σ型源、漏区相比较，本发明采用填充V型沟槽形成应力填充层作为源、漏区，使本发明的源、漏区凸起离沟道更近，从而本发明的源、漏区对沟道施加的应力效果更明显；V型沟槽中的应力填充层底部形成异质结，应力填充层底部的尖端漏电较多，从结构上改善本发明在ESD静电放电方面的应用；本发明填充V型沟槽形成的源、漏区离得较远，使有效沟道长度增加，改善了短沟道效应，有利于提高工作电流。

主权项

一种MOS晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上制备栅区域，在预制备MOS晶体管的衬底顶部形成包括源区、漏区及沟道的有源区，位于所述栅区域下且位于源区和漏区之间的衬底顶部为沟道，且所述源区和漏区对所述沟道施加应力；其中，制备所述源区和漏区的具体步骤为：1)采用湿法刻蚀，在所述栅区域两侧的所述衬底内对称形成V型沟槽；2)在所述V型沟槽内外延生长应力填充层以填充满所述V型沟槽，在所述栅区域附近的应力填充层中形成轻掺杂区域；3)以所述栅区域为掩膜，对位于栅区域两侧且形成有所述应力填充层的衬底进行离子注入形成源区及漏区；其中，在步骤1)中，形成的所述V型沟槽使栅区域部分悬空于所述衬底之上，其中，位于一V型沟槽上的栅区域悬空部分的宽度与栅区域的总宽度之比小于等于1/3；所述V型沟槽的最深处位于所述源区及漏区的底部之上；在所述V型沟槽的最深处位于所述源区及漏区的底部之上时，位于所述V型沟槽开口处的所述源区及漏区凸出处和所述沟道均位于所述衬底顶部，以使所述源区及漏区凸出处离所述沟道更近，从而增强预制备所述源区及漏区对所述沟道施加的应力。